中國長鑫科技快速發展，韓國記憶體晶片主導地位面臨挑戰

AI 記憶體主導權的隱形戰役

中國正對韓國長期以來在記憶體晶片製造領域的優勢發起前所未見的挑戰，全球半導體產業的勢力版圖因此出現劇烈變化。數十年來，韓國三星電子與 SK 海力士，加上美國競爭對手美光科技，掌握全球逾 90% 的 DRAM 市場，建立起看似難以撼動的技術壁壘。然而，在一家雄心勃勃的本土業者挑戰下，這項主導地位正面臨迄今最嚴峻的考驗。這家業者獲得數十億美元國家資金挹注，也受到地緣政治急迫性的推動。

長鑫存儲（CXMT）於 2016 年創立，至今略逾十年，已成為中國記憶體產業的領軍企業，迅速從微不足道的業者成長為掌握全球 DRAM 市場約 4% 至 5% 市占率的廠商。該公司在 2025 年首度獲利，目前正籌備在上海證券交易所進行規模達 42 億美元的大型首次公開募股（IPO），展現其商業可行性及對國家的戰略重要性。在此同時，華府與北京之間的科技競爭日益升溫，記憶體晶片也已成為人工智慧供應鏈的關鍵瓶頸。

儘管壓力日增，業界專家仍認為韓國的技術領先幅度相當可觀，尤其是在高頻寬記憶體（HBM）領域。HBM 對訓練大型語言模型及支援先進 AI 應用至關重要。韓國晶片製造商在 2020 年率先將 DDR5 記憶體商業化，目前正向主要 AI 客戶出貨第五代 HBM3E 產品，並為下一代 HBM4 做準備。分析師估計，韓國在標準 DRAM 領域領先約兩至三年，在技術更複雜的 HBM 堆疊技術領域則領先三至四年。

中國記憶體指標企業在國家扶持下崛起

CXMT 的崛起得益於全球規模最大的半導體補貼計畫之一，也就是由國家主導、俗稱「大基金」的國家集成電路產業投資基金。該基金累計資本超過 6,900 億元人民幣（約 950 億美元），展現北京在美中科技競爭日益激烈之際，實現半導體自主的決心。基金第三期於 2024 年啟動，特別將先進 AI 晶片與 HBM 開發列為目標，同時強化更廣泛的供應鏈。

以歷史標準來看，該公司的技術進展相當驚人。根據其 IPO 招股說明書，CXMT 短短數年間便從早期研發階段邁入量產，最近並宣布開始量產供個人電腦、伺服器及行動裝置使用的 DDR5 與 LPDDR5X 記憶體產品。在 HBM 領域，CXMT 於 2024 年底開始量產 HBM2，並設定目標於 2026 年推出 HBM3 等級產品，2027 年則可能推出 HBM3E。若按此時程推進，與全球領先業者的差距將縮小至三至四年。

TechInsights 的獨立分析證實，CXMT 目前能以 D1y 和 D1z 製程節點生產 DRAM，相當於約 17 至 13 奈米，DDR5 的密度則可媲美全球領先競爭對手 2021 年推出的產品。據報，該公司正開發對 HBM3E 生產至關重要的 15 奈米以下節點（D1α 和 D1β），可能仿效美光 2021 年的先例，在未使用極紫外光（EUV）微影技術下達成 D1α 節點。

尚明大學系統半導體工程學教授李鍾煥指出，中國的戰略目標不僅止於眼前的商業成功。

中國的技術差距顯而易見，但中國的最終目標並非短期獲利。中國的晶片野心與其對美競爭直接相關，涵蓋 AI 和軍事能力。

衡量技術差距

技術差距的確切規模，呈現出進展與限制並存的複雜局面。在標準 DRAM 製造方面，韓國及全球領先業者已進入第五代和第六代 10 奈米級節點，稱為 1b 與 1c，可提升密度並改善電源效率。中國業者目前主要採用 1z 節點，這是較早一代的 20 奈米以下技術，良率較低、製造成本較高。

製程節點的差距為韓國製造商帶來顯著的競爭優勢。採用 1b 與 1c 節點生產的晶片，效能更高、耗電更低，且能以更具成本效益的方式大量生產；隨著產品世代更迭，這些優勢還會持續累積。韓國工程院估計，雙方差距約為兩至三年，較先前長達十年的落後大幅縮小，但在每一代產品都能大幅提升效率的產業中，這仍是相當大的差距。

在 NAND 快閃記憶體領域，差距較小，但仍相當明顯。市場領導者三星與 SK 海力士目前已量產 286 至 321 層晶片，位居業界最先進之列。以長江存儲（YMTC）為首的中國製造商則已加速推出 232 層 NAND 晶片。值得注意的是，YMTC 已開發出混合鍵合技術，在某些應用上被視為比韓國競爭對手更先進，顯示中國的發展雖不均衡，但在特定技術領域已有實質突破。

在高頻寬記憶體領域，差距則大幅擴大，韓國的主導地位也最為明顯。HBM 製造需要以矽穿孔技術垂直堆疊 DRAM 晶片，以提升效能及電源效率，普遍被視為記憶體製造中技術門檻最高的領域。CXMT 雖已宣布進軍此一市場的計畫，韓國晶片製造商卻已大規模出貨 HBM3E，並為推出 HBM4 做準備。這項領先優勢與其說仰賴製程節點的亮眼數字，不如說來自多年來與 AI 晶片設計商密切合作所累積的堆疊精度、熱控能力及穩定良率。

產業間諜活動與技術機密保護

競爭壓力已演變為圍繞智慧財產權保護的重大法律攻防。2025 年 12 月 26 日，南韓檢方起訴 10 人，包括三星電子前高層與工程師，指控他們涉嫌將先進 10 奈米 DRAM 製造機密洩漏給 CXMT。五名嫌疑人仍遭羈押，另外五人遭起訴後獲准交保，這是韓國史上最重大的產業間諜案件之一。

首爾中央地方檢察廳表示，被告離開三星後，曾在 CXMT 擔任重要研發職務。調查人員發現，一名離職研究員以手抄方式複製數百道專有 DRAM 製程步驟，記錄製程順序、設備規格及良率最佳化等關鍵細節。據稱，這些手寫筆記被用來在 CXMT 重建並調整三星的製造流程，協助這家中國企業於 2023 年成為中國首家生產 18 奈米 DRAM 晶片的業者。

檢方估計，三星僅在 2024 年便因銷售損失蒙受約 5 兆韓元（35.6 億美元）的經濟損害，長期影響可能高達數十兆韓元。調查也發現，CXMT 透過一家供應商取得 SK 海力士的其他 DRAM 技術，進一步加快發展時程。據報，遭起訴人士在 CXMT 領取的年薪是先前在三星薪資的三至五倍，每年達數十億韓元。

東亞大學教授沈大龍曾在 SK 海力士負責 DRAM 業務 26 年。他強調，光靠資金無法克服技術障礙。

半導體產業不是光靠錢就能掌握的。產業快速的升級週期意味著，既有技術一旦過了巔峰，很快就會失去相關性，因此在低階市場占據主導地位，長期經濟效益有限。

市占率之爭與價格壓力

競爭態勢正以具體數字重塑市場格局。根據 Counterpoint Research 2025 年第三季資料，SK 海力士以 34% 市占率維持整體 DRAM 銷售領先，三星以 33% 緊追在後，美光則占 26%。CXMT 市占率迅速升至 5%，高於 2024 年底的 3%，在成熟市場中展現強勁動能。

在具高度戰略重要性的 HBM 領域，SK 海力士掌握 57% 市占率，三星大幅升至 22%，美光則占 21%。三星市占率提升，發生在該公司上半年因對中國出口受限而陷入困境之後，顯示地緣政治管制帶來的市場波動。據報，隨著 AI 需求持續激增，供應商的 HBM 產品訂單已排滿至 2026 年。

CXMT 以積極定價策略爭取市場，DDR4 DRAM 晶片價格幾乎只有既有競爭對手的一半。這種折價策略壓縮三星、SK 海力士與美光的利潤，也讓下游消費者受惠。拆解分析顯示，這家中國企業的 16Gb DDR5 產品位元密度與美光 2021 年的產品相近，但晶粒較大，良率也未經證實，可能導致製造成本較高。

市場需求有利於擴產。預估中國雲端服務供應商騰訊、百度和阿里巴巴於 2025 年合計支出 319.8 億美元，較 2024 年增加近 40%。受 AI 熱潮帶動，韓國半導體出口於 2025 年年增 22.2%，達到創紀錄的 1,734 億美元，競爭也日益激烈。

地緣政治管制與設備瓶頸

這場技術競賽正處於日益收緊的出口管制與國家安全限制網絡之中。2024 年 12 月，美國公布新一輪出口管制措施，專門限制中國取得高頻寬記憶體及 HBM 生產所需的半導體製造設備。這些規定將逾 140 家中國晶片製造商與設備業者列入美國商務部實體清單，企圖利用 HBM 這項瓶頸限制中國 AI 發展。

相關限制已為 CXMT 帶來直接營運挑戰。派駐該公司的美國半導體設備企業維護人員已接獲離開指示，影響 DRAM 與 HBM 的開發時程。雖然 CXMT 囤積了足以維持營運至 2026 年或 2027 年的設備，但現行出口管制使其無法取得極紫外光微影設備，因此難以將先進產能擴大至目前製程節點之外。

中國仍持續開發本土 EUV 技術。據報，一款旨在 2028 年前製造出可運作晶片的原型設備已完成，但分析師認為商業化生產可能要到 2030 年左右。若無法取得 EUV 設備，CXMT 可能面臨其他中國晶圓代工廠遇到的類似挑戰，在 15 奈米以下節點提升良率並縮小晶粒方面受阻，進而限制其追上韓國與美國競爭對手效率的能力。

進入全球市場也面臨其他限制。CXMT 截至 2026 年初仍未列入實體清單，但據報華府自 1 月起便討論將其列入，對其商業活動構成重大風險。即使未被列入清單，技術差距與地緣政治緊張局勢也使外國企業不願採用 CXMT 的 HBM 產品搭配 AI 加速器，令該公司即使技術有所進展，客戶仍主要限於中國國內。

重點整理

• 韓國三星與 SK 海力士和美光共同掌握全球逾 90% 的 DRAM 市場，但 CXMT 市占率已升至 5%。
• 標準 DRAM 技術差距約為兩至三年，高頻寬記憶體則約為三至四年；韓國領先業者採用 1b／1c 節點，中國業者則主要採用 1z 節點。
• CXMT 在 2025 年首度獲利後申請募資 42 億美元的上海 IPO，並獲中國規模達 950 億美元的「大基金」半導體補貼計畫支持。
• 南韓檢方於 2025 年 12 月起訴 10 名前三星員工，指控他們將 10 奈米 DRAM 技術洩漏給 CXMT，造成估計 35.6 億美元損失。
• 美國於 2024 年 12 月實施出口管制，限制 HBM 製造設備的取得；中國 AI 需求則帶動 Nvidia H20 出貨量在禁令前超過 100 萬顆。
• CXMT 計畫於 2026 年量產 HBM3、2027 年推出 HBM3E，縮小與韓國領先業者的差距；韓國業者目前已出貨 HBM3E，並正開發 HBM4。