更小的記憶體單元與積極的時程
中國最大記憶體晶片製造商長鑫存儲（CXMT）計畫在 2026 年底前推出採用 4F2 DRAM 架構的 DDR5 暫存式伺服器記憶體。總裁曹燦坤（Cao Kanyu）10 月 10 日在上海舉行的第四屆積體電路與晶粒研討會上公布這項計畫，為公司挑戰三星電子、SK 海力士與美光訂下具體產品目標與時程。
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這項架構將單一記憶體單元所占面積，從主流的 6F2 設計縮小至 4F2。在最小線寬相同的情況下，理論上單元面積可減少三分之一。這有望讓晶片容納更多記憶體，但成品實際提升幅度，仍取決於電路設計、製程成果及其他設計需求。
CXMT 設定的時程，比三星據報瞄準的 2028 年量產時間約早兩年。但這還不能證明其製造進度領先兩年。推出產品與穩定大量生產是不同里程碑，而 CXMT 尚未公布這款伺服器記憶體的詳細規格、確切上市日期或生產良率。
這項宣布之所以重要，是因為目標鎖定企業伺服器，而非中國 DRAM 業者已建立市場地位的消費性裝置。伺服器客戶需要產品長時間穩定運作，因此商業市場是否接受，與能否展示更小的記憶體單元是兩回事。
曹燦坤在上海公布的計畫
曹燦坤（英文報導也有寫作 Chao Kanyu）表示，伺服器記憶體將是 CXMT 新架構的首個產品應用。他在上海會議上說明預計推出的產品：
我們將在年底前推出採用 4F2 DRAM 結構的新一代 DDR5 RDIMM 伺服器記憶體。
RDIMM 是 registered dual inline memory module（暫存式雙列直插記憶體模組）的縮寫。這類模組使用暫存器緩衝命令與位址訊號，協助伺服器支援要求嚴苛的記憶體配置。DDR5 指的是記憶體世代；4F2 則描述底層的記憶體單元配置。因此，這項宣布談的是以新方式製造熟悉類別的伺服器記憶體晶片，而非取代 DDR5 標準。
CXMT 表示已重新設計關鍵製程步驟，並自行開發垂直環繞閘極電晶體（VSG）。這些說法顯示，其研發工作不只涉及提出新的記憶體單元配置，但無法證明製程能產出多少可用晶片、產能擴大的速度，或伺服器客戶是否已完成產品認證。
各家報導對時程的描述力道不一。有些報導稱，公司計畫在年底前後開始量產；曹燦坤引述的說法則承諾推出產品。在未公布製造數量的情況下，較明確的產品推出承諾，是比較 CXMT 與競爭對手時更可靠的依據。
4F2 如何改變 DRAM 晶片
DRAM 透過記憶體單元儲存資訊，必須定期刷新才能保留資料。記憶體單元尺寸的標記中，F 代表最小特徵尺寸，通常以最小線寬描述。4F2 單元的面積相當於 2F 乘以 2F；相較之下，6F2 單元的面積相當於六個 F 的平方單位。
這項計算可用來衡量其技術企圖。面積從六個單位降至四個，記憶體單元占用空間約可縮小 33%。若只考慮單元面積，同樣空間可容納多 50% 的單元，因為六除以四等於 1.5。但這兩個數字都不代表 CXMT 成品模組的容量或速度必然有所提升。
實際晶片還需要周邊電路、連接線路，以及受製程限制而必須保留的空間。記憶體速度、耗電量與可靠性，不只取決於一定面積內能容納多少單元。CXMT 尚未公布相關測量數據，無法據此與目前的伺服器 DRAM 產品比較。
VSG 電晶體將通道垂直配置，並由閘極環繞。閘極負責控制電流流經電晶體。CXMT 表示，這種配置有助於降低非預期的電流漏失並提高記憶體密度，也可能改善電源效率。
CXMT 也正探索混合鍵合技術，分別最佳化記憶體單元與周邊邏輯電路。混合鍵合透過極細的電氣連接，將半導體結構接合在一起。公司表示，此技術的目標是讓儲存陣列與支援電路有更大的設計彈性，不過目前報導尚未證實，首批 DDR5 RDIMM 是否會採用這種方法。
三星與 SK 海力士各有時程
三星電子與 SK 海力士都在研究 4F2 DRAM，但 CXMT 公布計畫的相關報導指出，兩家公司都尚未承諾確切的量產時程。SK 海力士於 2025 年公布相關技術路線圖。據報導，三星計畫在 2026 年完成採用 4F2 的 10a DRAM 開發，2027 年進行品質測試，並於 2028 年開始量產。
三星的時程是據報的開發目標，並非已確認的保證。不過，這也說明了外界為何關注 CXMT 預定於 2026 年推出產品：這家中國公司正尋求在目前與較大型競爭對手相關的量產時程之前，推出商用產品。
上海交通大學研究員田豐表示，三大記憶體製造商都已制定 4F2 或類似 3D DRAM 技術的路線圖，但尚未達到大規模商業化。他的評估支持一種看法：這是一場新興競爭，而非已有某家廠商證明自己取得明確領先的市場。
據報導，各項里程碑分布於數年之間：
- 2016 年：CXMT 表示，公司成立時便開始研究 4F2。
- 2025 年：SK 海力士公布與 4F2 技術相關的路線圖。
- 2026 年 8 月：CXMT 表示，已開始量產 LPDDR6 行動記憶體。
- 2026 年 9 月：CXMT 表示，第五代 DRAM 製造平台已進入量產。
- 2026 年 10 月 10 日：曹燦坤在上海公布伺服器記憶體計畫。
- 2026 年底：CXMT 目標推出採用 4F2 的 DDR5 RDIMM。
- 2027 年與 2028 年：據報三星計畫先進行品質測試，之後開始量產。
生產良率可能決定競爭結果
製造上的核心問題是良率，也就是晶圓上製造出的晶片中，符合規格的比例。較小的記憶體單元在理論上很有吸引力，但若太多晶片未能通過測試，製造成本仍可能高昂。改變電晶體幾何結構與生產步驟，也代表製程必須提升至具商業效益的良率。
記憶體短缺期間，這點尤其重要。即使新技術最終能提升密度或效能，製造商在導入新製程時，仍可能因排除生產問題而損失可用產出。因此，既有供應商有理由衡量轉換時機，以及市場對現有產品的需求。
SK 海力士前技術長金鎮國（Kim Jin-guk）表示，生產能力是眼前的商業優先要務：
目前的記憶體短缺預期會持續，市場正轉向生產能力比技術實力更重要的局面。
金鎮國也提醒，導入新製程會付出代價：
導入新技術期間的生產損失勢必相當可觀。
他的說法說明，較早宣布產品不一定代表競爭地位較強。能大量生產可靠記憶體的公司，服務客戶的能力可能勝過設計密度較高、但仍難以製造的競爭對手。
據報 CXMT 於 9 月開始生產 G5 平台，顯示公司在另一項製造里程碑上有所進展，但這本身無法證明已宣布的 4F2 伺服器產品也達到相同成熟度。CXMT 尚未充分說明這些生產進展之間的關係，無法據此得出結論。
伺服器客戶是另一項考驗
三星、SK 海力士與美光在伺服器 DRAM 市場居於領先地位，CXMT 則較著重消費性電子產品。CXMT 表示，伺服器業務在 2026 年上半年營收占比提高，但相關報導未提供該業務的營收金額或市占率。
因此，進入伺服器市場與在該市場取得大量需求，兩者之間仍有重要差別。客戶需要記憶體能在持續工作負載下與系統穩定搭配運作。除了晶片密度，產品認證、供貨穩定性與效能一致性也都很重要。
這項宣布也不能證明 CXMT 在高頻寬記憶體（HBM）方面取得突破。HBM 廣泛搭配先進運算處理器使用，DDR5 RDIMM 與 HBM 扮演不同的記憶體角色。這款伺服器產品的進展，不能視為 CXMT 已縮小其據報與競爭對手之間的 HBM 技術差距。
外界對中國與南韓在傳統 DRAM 領域差距的估計不一。有些說法認為落後一至兩年，另一些則稱差距為兩至三年。各方普遍認為，中國在 HBM 領域至少落後三年。這些是業界評估，並非根據已公布且可相互比較的產品測試得出的數據。
專利與設備形塑更廣泛的競賽
CXMT 表示，與 4F2 相關的專利家族已超過 300 項，並自 2016 年起研究這種架構。專利家族是指在不同申請案或司法管轄區中，為同一項發明提供保護的相關申請。這項數量顯示公司累積了大量主張中的智慧財產，但不等同於已證實有 300 項獨立的製造突破。
曹燦坤也聲稱，CXMT 持有的相關專利超過中國國內與國際競爭對手，但未提供可驗證這項排名的專利比較資料。更具商業意義的檢驗標準，是這些設計能否投入製造、成品是否符合客戶要求，以及能否大規模供貨。
設備取得仍是另一項限制。據報導，CXMT 無法使用艾司摩爾（ASML）的極紫外光微影設備（EUV）。EUV 有助製造商在極小尺度上製作圖案，無法取得這類設備，也增加了 CXMT 提升至具商業效益良率的難度與不確定性。
部分業界評論認為，EUV 對未來 3D DRAM 生產的影響會降低。這種預期談的是更後期的架構，並未消除已公布產品面臨的製造挑戰。4F2 單元中的垂直電晶體，也不代表多層 DRAM 記憶體單元必然已經堆疊完成。
其他據報的中國技術進展，有助於解釋南韓製造商的憂慮。華為推廣邏輯折疊技術，另有報導稱三星支付權利金，取得使用長江存儲 Xtacking 鍵合技術的授權。這些技術與公司各不相同，不能用來證實 CXMT 的伺服器記憶體主張。
據報，華為與高通於 10 月 5 日宣布一項專利授權協議，涵蓋 5G、運算、人工智慧與網路技術。這反映中國智慧財產在產業中的廣泛影響力，但該協議與 DRAM 無關，也不能證明 4F2 已具備量產條件。
期限前仍待證明的事項
CXMT 的財務擴張也為其研發布局提供更多背景。據報導，公司 7 月的股票發行規模約為 86 億美元，約合人民幣 666.1 億元，股價在首個交易日上漲 466%。這些數字顯示融資規模可觀、投資人關注度高，但不能驗證計畫中的記憶體產品在技術上可行。
報導所述交易時段內，既有供應商股價反應溫和：美光在隔夜交易中下跌約 1%，SK 海力士在當地交易中下跌 0.8%。當時半導體類股普遍賣壓，以及市場對人工智慧支出的疑慮也同時存在，因此不能將股價變動全歸因於 CXMT 的宣布。
下一個明確時程是 2026 年底。在進行直接競爭比較前，CXMT 需要公布的不只是推出日期；模組規格、生產規模、客戶認證，以及可靠運作的證據，都有助於釐清這項宣布的商業意義。
目前，CXMT 設定的產品目標早於三星據報的量產時程，也提出了具體的架構方向。這能否轉化為伺服器記憶體市場的優勢，取決於可用產出與客戶採用情況，光看時程並不足以判斷。
重點
- CXMT 計畫在 2026 年底前推出採用 4F2 DRAM 的 DDR5 暫存式伺服器記憶體。
- 在最小特徵尺寸相同的情況下，4F2 記憶體單元的理論面積比 6F2 小三分之一。
- CXMT 表示，其垂直環繞閘極電晶體可降低漏電並提高密度。
- 據報三星目標在 2028 年量產；SK 海力士於 2025 年公布相關路線圖。
- CXMT 尚未公布詳細產品規格、生產良率或確切上市日期。
- 較早推出產品本身，無法證明其在大規模製造或伺服器客戶採用方面領先。
