更小的記憶體單元引發全球賣壓
中國長鑫存儲（CXMT）計畫在 2026 年底前推出一款新的伺服器記憶體產品，採用可將記憶體密度提高約 30% 的架構。這項宣布使成熟晶片製造商股價大幅下挫，儘管要讓這項設計達到可靠的大量生產，仍有許多工作待完成。
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長鑫存儲總裁曹侃宇 10 月 10 日在上海一場產業會議上介紹相關進展。公司正開發一種稱為 4F² 的設計，縮小每個記憶體單元所占的空間。預定推出的產品鎖定資料中心伺服器，將更直接與三星電子、SK 海力士及美光科技競爭。
10 月 13 日，SK 海力士股價收低約 10%，三星下跌 7.4%，兩者均跌至 8 月以來最低點。韓國綜合股價指數（Kospi）下跌 5.5%。美光週一下跌約 3.9% 後，週二交易再跌 3.62%。
賣壓蔓延至晶片設備供應商、儲存設備公司及其他科技股。投資人重新評估中國製造商挑戰受惠於人工智慧運算需求的企業，究竟能有多快。
長鑫存儲眼前的目標是傳統伺服器記憶體。在高頻寬記憶體（HBM）領域，這種與高效能 AI 處理器搭配使用的專用記憶體，既有競爭對手仍占據較有利的位置。長鑫存儲面臨的商業考驗，是能否以具競爭力的成本，生產足量且可靠的晶片。
白話解釋 4F² 的意義
DRAM 是動態隨機存取記憶體的縮寫，用來存放電腦目前正在使用的資訊。伺服器需要這種工作記憶體，讓資料在處理器執行工作時能放在附近。每顆晶片都包含數量龐大的微小記憶體單元。
業界常見的 6F² 佈局中，每個單元的面積相當於最小特徵尺寸 F 的平方乘以六。4F² 佈局則將面積縮減為同一平方的四倍。在特徵尺寸不變的情況下，單一記憶體單元所占空間約減少三分之一。
縮小單元可讓晶片容納更多資訊。不過，整個產品的容量增幅，也取決於其他電路所占的空間及製造方式。晨星分析師余靜潔估計，若長鑫存儲的架構成功商業化，記憶體密度可提高 30%。
顧問公司中信產業研究院副院長張小露估計，每片晶圓產出的位元數可能增加 30% 至 50%，單一單元面積則可減少約 33%。這些估算反映的是設計的潛力，而非成熟量產後的實際產出。
三星與 SK 海力士也在探索 4F² 設計。SK 海力士於 2025 年公布開發時程，因此長鑫存儲預定推出產品的時間點，對評估既有供應商技術領先幅度的投資人而言格外敏感。
長鑫存儲如何改變製程
曹侃宇介紹一種稱為垂直環繞閘極（VSG）的技術，用來改變控制記憶體單元的電晶體排列方式。公司預期這種結構可減少電流漏失及其他問題；隨著單元縮小，這些問題也會更難處理。
電流漏失是指電流流向非預期的位置。在記憶體晶片中，控制電流有助於讓單元可靠地保留資訊，同時減少不必要的耗電。只有在單元仍能穩定運作的前提下，縮小設計才有實際價值。
長鑫存儲也計畫將記憶體單元與周邊電路分別製作在不同矽晶圓上，再透過混合鍵合接合。周邊電路負責選取記憶體單元，以及將資訊寫入或讀出。混合鍵合則透過極精密的電氣與物理連結，接合分開製造的部分。
曹侃宇表示，將這些製造步驟分開，是公司技術方案的核心。張小露指出，結合 VSG 與晶圓級鍵合，可能在不依賴極紫外光微影（EUV）的情況下提高密度。EUV 是用來印製微小晶片圖案的先進技術。
推出產品後，還要接受更漫長的量產考驗
長鑫存儲預計在 2026 年底前推出採用新架構的 DDR5 RDIMM。DDR5 是一種電腦記憶體世代，RDIMM 則是伺服器常用的記憶體模組。產品必須能與客戶目前使用的機器及系統可靠運作。
目前仍不清楚生產良率，也就是製造出的晶片中，能正常運作並可出售的比例。曹侃宇未公布詳細良率數據，也未提出大規模商業出貨的確切時程。即使設計前景看好，若製程產出大量瑕疵晶片，成本仍可能很高。
晨星分析師余靜潔談到這項競爭機會與製造挑戰：
若能率先成功在 DRAM 生產中導入 4F² 架構，將大幅提升長鑫存儲相較同業的競爭力。
余靜潔也預期，產品亮相到以可行良率實現商業化之間，仍會有一段明顯的時間差，這反映出在大量生產中維持一致品質的難度。
張小露表示，伺服器記憶體的驗證通常需要 18 至 24 個月。在這段期間，客戶會檢查產品是否符合相容性、可靠度及運作方面的嚴格要求。因此，產品推出後還須進一步測試與導入，才能廣泛部署。
為何市場反應擴及記憶體製造商以外
日本軟銀集團下跌 8.5%，半導體設備供應商東京威力科創下跌 7.2%，測試設備製造商愛德萬測試下跌 2.9%。日經 225 指數下跌 1.8%，顯示賣壓已超出與長鑫存儲直接競爭的企業。
歐洲股市也走低。艾司摩爾下跌 3.3%，意法半導體與英飛凌各跌約 5%。儲存設備公司 SanDisk、希捷及威騰電子也都下跌。長鑫存儲週二在上海收低 2.8%。
這波賣壓之前，美國股市週一已表現疲弱，那斯達克綜合指數下跌 0.44%。Union Bancaire Privee 資深股票顧問 Vey-Sern Ling 表示，投資人正在獲利了結，尤其是先前表現強勁的 AI 類股與記憶體公司。
Rayliant Global Advisors 首席市場策略師 Phillip Wool 認為，賣壓規模與眼前的競爭威脅並不相稱。他指出，長鑫存儲要讓新設計達到大量生產，仍有許多工作要做。
隔天的交易顯示，SK 海力士跌幅收斂，10 月 14 日下跌 1.66%。投資人一方面衡量競爭格局可能出現的長期變化，另一方面也考量晶片認證與擴產在實務上進展較慢。
為何 HBM 是另一種競爭
HBM 能在記憶體與處理器之間快速傳輸大量資料。它對 AI 系統尤其重要，因為高效能處理器需要持續取得資訊，才不會閒置。生產 HBM 涉及難度很高的製程、堆疊與封裝技術。
長鑫存儲預定推出的 DDR5 伺服器產品，滿足的是資料中心另一部分的記憶體需求。一般伺服器記憶體支援整體系統運作；HBM 則為輝達 AI 加速器等高需求處理器提供高速存取。
Wool 談到既有供應商在 HBM 領域的優勢：
更重要的是，我們現在談的甚至不是 HBM。韓國晶片製造商在這個領域仍無疑占據主導地位，預見未來，長鑫存儲或其他業者幾乎都構不成威脅。
張小露表示，主要海外製造商已將產能集中在 HBM3e 與 HBM4，傳統伺服器 DDR5 的供應仍然吃緊。這可能為另一家可靠的一般伺服器記憶體供應商創造機會，尤其是尋求國內供應來源的中國客戶。
Ling 也認為，長期競爭挑戰與目前製造能力之間有所不同。他表示，中國記憶體公司長期可能影響供需平衡，但短期內仍面臨技術難題。
市占率上升，開發計畫也密集推進
Counterpoint Research 估計，長鑫存儲的全球 DRAM 營收市占率，從 2025 年第二季的 4% 升至 2026 年第二季的 10%，成為全球第四大 DRAM 供應商。匯豐分析也估計其市占率約為 10%，高於一年前的約 4%。
市占率增加 6 個百分點，達到原先的 2.5 倍。這為長鑫存儲帶來持續擴大的商業基礎，同時也讓公司得以開發下一代架構。公司也正推進 LPDDR6 手機記憶體，時程大致與三星及 SK 海力士相近。
長鑫存儲近期宣布的多項計畫顯示，多個專案正同步推進：
- 2026 年 9 月 20 日：公司宣布第五代 DRAM 製程平台 G5 開始量產，並推出大容量 LPDDR5X 記憶體。
- 2026 年 9 月 28 日：公司宣布一項耗資 241 億元人民幣的研發計畫，以及耗資 108 億元人民幣的二期測試基地計畫。
- 2026 年 10 月 10 日：曹侃宇在上海介紹 DRAM 元件、4F² 架構及混合鍵合的進展。
- 2026 年底前：長鑫存儲目標推出新款伺服器記憶體產品。
G5 平台在圖案化過程中採用四次曝光，記憶體陣列的有效半間距達 11.95 奈米；半間距是衡量陣列內部間隔的指標。兩項預定投資計畫總額為 349 億元人民幣，涵蓋製程開發、封裝、測試及模組組裝。
出口管制影響擴產路徑
長鑫存儲成立於 2016 年，總部位於合肥，受惠於中國龐大的國內電子產品市場。出口限制使公司取得先進製造設備的管道受限，其中包括對艾司摩爾最先進 EUV 系統的限制。
這項預定架構更仰賴元件排列方式，以及接合分開製造的晶圓。張小露表示，這種架構可能不必使用 EUV 就能提高密度，同時帶動對精密蝕刻、沉積、鍵合及研磨設備的需求。
競爭對手的設備投資與生產時程則有所不同。日本已承諾提供最高 5,360 億日圓，支援美光在廣島擴廠，推動先進 DRAM 的開發與生產，初期出貨最快預定於 2028 年開始。該計畫包括 EUV 設備及其他製造工具。
競爭也牽涉法律爭議。南韓檢方對 10 人提出起訴，指控涉及一宗三星技術外洩案，聲稱相關製造技術已流入長鑫存儲。檢方指控，遭轉移的資訊有助加快其 DRAM 生產，並支援 HBM 開發。相關指控仍在刑事訴訟程序中。
客戶與估值提高了利害關係
長鑫存儲 7 月在上海科創板掛牌，首日股價一度飆升近 466%，短暫成為中國大陸上市公司中市值最高的企業。之後股價約比首日報價 49 元人民幣低 4%。
公司估值約為 3.46 兆元人民幣，相較之下，騰訊為 3.87 兆元人民幣。這意味著長鑫存儲的估值約達騰訊的 89%，凸顯投資人對這家成立僅十年的記憶體製造商抱持高度期待。
客戶是否採用產品，將決定其商業版圖能擴展多大。蘋果已在測試長鑫存儲的 DRAM，評估用於在中國銷售的裝置，並尋求美國政府批准擴大使用範圍。公司並未公布已完成供應協議或取得更廣泛的許可。
花旗分析師指出，即使美國限制直接銷往美國市場，若長鑫存儲向歐洲等地區的資料中心銷售，仍可能影響美光。供應商可透過其他地區的客戶形成競爭壓力，改變哪些製造商取得訂單，以及能收取多少價格。
對伺服器營運商而言，若長鑫存儲能交付可靠且數量充足的產品，實際上就能多一個傳統記憶體供應來源。對既有製造商而言，則必須在傳統 DRAM 與更專用的記憶體市場同時競爭，並守住技術領先地位。接下來的關鍵里程碑是預定推出產品、完成客戶驗證，以及達成穩定生產。
重點整理
- 長鑫存儲目標在 2026 年底前推出採用高密度 4F² 架構的伺服器記憶體。
- 10 月 13 日，SK 海力士下跌約 10%，三星下跌 7.4%，賣壓並蔓延至全球科技股。
- 這項設計結合垂直電晶體結構，以及透過混合鍵合接合的分開製造晶圓。
- 分析師看好記憶體密度提升的潛力，但生產良率與客戶認證將決定商業化進展。
- Counterpoint 估計，長鑫存儲 DRAM 營收市占率從 2025 年第二季的 4% 升至 2026 年第二季的 10%。
- 預定推出的產品鎖定傳統伺服器記憶體；在 AI 系統使用的 HBM 領域，既有供應商仍具較大優勢。
