台灣記憶體擴產加速,美光台中 HBM 廠啟用

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Micron Opens Taichung HBM Facility as Taiwan Memory Expansion Accelerates

台灣擴產迎上 AI 記憶體熱潮

美光在台中啟用第二座先進封裝與測試廠,為人工智慧系統用記憶體的生產增添關鍵環節。隨著客戶敲定美光預計於 2027 年供應的大部分高頻寬記憶體(HBM),這座新廠也正值需求快速攀升之際。

目錄
  1. 台灣擴產迎上 AI 記憶體熱潮
  2. 台中廠的重要性
  3. 四處據點,各有任務與時程
  4. 值得關注的里程碑
  5. 投資大幅加速
  6. 客戶提前多年預訂
  7. 更小電路與更快廠區調度
  8. 台灣結合先進處理器與記憶體
  9. 其他記憶體業者也在擴產
  10. 重點整理

2026 年 10 月 15 日的啟用典禮,呈現兩項重要進展:新廠預定於 10 月中旬開始生產 HBM,並在台灣四處製造據點同步擴產。美光台灣董事長盧東暉表示,截至 2026 年 6 月,美光在台累計投資超過新台幣 1.6 兆元,其中約一半是在此前四年投入。

客戶承諾強勁,但美光已進一步說明這些預訂的範圍。美光全公司的 2027 年 HBM 供應量,大部分已簽訂最終客戶合約。公司澄清,台中第二座廠的部分產出尚未納入這些合約,因此新廠 2027 年產能全數售罄的初步說法,並不完全適用於整座新廠。

台中是更廣泛生產網絡中的封裝中心。桃園與苗栗縣銅鑼正擴增晶圓製造產能,台南則將新增晶圓測試能力。這些計畫共同涵蓋了將矽晶圓轉化為 AI 電腦可用記憶體所需的多個製程環節。

對打造 AI 系統的客戶而言,實際關鍵在於這些製程能否同步擴充。記憶體晶片增加時,也需要相應的堆疊、連接與測試產能,才能製成完整產品。

台中廠的重要性

美光將台中后里既有的倉庫及傳統製造空間改建為第二座先進封裝廠。工程於 2025 年展開,賴清德總統在啟用典禮上表示,這座廠房在一年多一點的時間內便已完工。

HBM 是將多層 DRAM 記憶體晶片垂直堆疊而成。稱為矽穿孔(TSV)的微小連接結構穿過矽晶片,使各層能交換資料。這種產品能快速傳輸大量資訊,協助高效能 AI 處理器取得所需資料。

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因此,封裝是 HBM 製造的核心環節。晶片必須精準堆疊並連接,再經過測試,確認完成後的記憶體能正常運作。若只擴增晶圓產能,製造鏈中的其他環節仍可能面臨產能不足。

台中已是美光在台灣最大的製造基地,結合先進 DRAM 製造、HBM 生產與封裝。盧東暉表示,美光在后里園區使用土地的比重,已從 2013 年約 23% 增至約 73%,顯示其在地規模大幅擴張。

四處據點,各有任務與時程

美光的四項計畫進度不一。台中開始生產、銅鑼預計出貨,以及台南安裝設備,各自代表從整備廠房到交付可用記憶體之間的不同階段。

桃園 Fab 11E 於 2026 年 7 月 30 日動土,預計約於 2028 年開始營運;較早的時程規劃則預估將在 2027 年底至 2028 年初投產。這座廠房的設計支援極紫外光微影(EUV),以極短波長的光在矽晶圓上形成微小電路圖案。

桃園廠的設計也預留空間,供未來導入高數值孔徑 EUV 設備。這是更先進的技術,旨在製作更精細的電路圖案。盧東暉表示,由於舊廠在地板承重、設備高度及維修空間方面有限制,因此需要興建新廠房。

銅鑼 P5 的收購案於 2026 年 3 月 16 日完成。該基地現有約 30 萬平方英尺的無塵室空間,美光計畫再興建一座約 27 萬平方英尺的晶圓廠。美光在 9 月 30 日財報說明會上表示,銅鑼預計於 2027 年年中開始全面出貨產品。

台南據點由友達光電(AUO)舊廠改建而成。首批設備於 2026 年 9 月上旬進廠。一座約 11 公尺高的倉庫正改建為三層無塵室空間,主要用於晶圓測試。美光尚未公布該據點的投產或出貨日期。

值得關注的里程碑

美光的擴產計畫從 2026 年的收購與施工,延伸至預計於 2028 年投入營運。這個時程顯示新增供應將分階段到位,而非一次全部釋出。

  • 2026 年 3 月 16 日:美光完成收購銅鑼 P5。
  • 2026 年 7 月 30 日:桃園 Fab 11E 動工。
  • 2026 年 9 月上旬:台南改建廠房開始安裝設備。
  • 2026 年 10 月 15 日:美光啟用台中第二座先進封裝與測試廠,預定於 10 月中旬開始生產 HBM。
  • 2027 年年中:預計銅鑼開始全面出貨產品。
  • 約 2028 年:預計桃園 Fab 11E 開始營運。
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銅鑼廠展現了從收購工廠到供貨給客戶之間所需的各項工作。移交後不到兩週,設備便開始進場;盧東暉表示,截至 10 月的說明會,已有超過 100 台、接近 200 台機器進廠。為配合美光的製程,原有設備與公用管線仍需拆除或改造。

台中與台南也採用改建方式,而非完全新建。台南從顯示器製造轉型為記憶體測試,需要調整電力、用水、氣體、化學品及廢水處理設施。既有建築提供了改造的基礎,實際技術工程則決定這些廠房何時能投入出貨。

投資大幅加速

盧東暉表示,美光在台累計投資超過新台幣 1.6 兆元,其中約一半是在過去四年投入,大致相當於此前四分之一世紀的投資額。賴清德在 10 月 15 日的典禮上則表示,美光三十年來在台累計投資超過新台幣 1.4 兆元。

美光最新公布的新台幣 1.6 兆元,指的是截至 2026 年 6 月在台累計支出。另一項估計則指出,目前台灣擴產計畫的投資金額超過新台幣 851 億元。兩項數字涵蓋的期間與支出類別不同:前者是數十年來的累計投資,後者是目前的擴產計畫。

較早前的i-stock 公司聲明指出,截至 2024 年 6 月,美光在台投資超過 300 億美元。這家物流供應商也提到,2024 年 12 月 25 日舉行台中第三座辦公大樓的典禮,預計於 2025 年 5 月全面完工,並同步規劃擴大 HBM 製造與研發。

盧東暉表示,美光目前在台員工超過 15,000 人。除了生產,業務也涵蓋研究、產品開發、實驗室及銷售。台灣團隊成員來自 34 個國家;公司透過大學合作招募人才,也提供赴美國、日本及新加坡任職的機會。

客戶提前多年預訂

美光表示,客戶已簽訂為期三至五年的策略協議,部分合約期限延伸至 2031 年。美光 2027 年 HBM 供應量大部分已簽訂最終合約,且公司表示合約價格高於 2026 年。

美光預期,2027 年及 2028 年的記憶體供應將比 2026 年更為吃緊。公司展望也指出,至 2028 年,HBM 需求成長將高於傳統 DRAM。這些是公司的預測,而已簽署的協議則反映客戶目前如何透過提前鎖定供應,因應未來需求。

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HBM 開發日益依據特定運算系統量身設計。美光表示,正與台積電、英特爾、輝達及超微合作進行技術整合,包括讓記憶體與高效能處理器連接的封裝技術。公司也表示,HBM4 和 HBM4E 等後續世代產品的開發正在推進。

較長期的協議能讓客戶更清楚掌握供貨時程,也讓美光在規劃昂貴的廠房與設備採購時更有依據。挑戰仍在於執行:公司必須按照客戶所需的速度,讓晶圓製造、封裝與測試產能投入運作。

更小電路與更快廠區調度

美光的製程升級與廠房計畫同步推進。盧東暉表示,包括 1α、1β 和 1γ 在內的近期先進 DRAM 世代,常在完成開發後優先於台灣導入。1γ 世代是美光首個採用 EUV 的 DRAM 製程。

美光表示,與 1β 相比,1γ 每片晶圓的記憶體位元密度提升逾 30%。簡單來說,每片晶圓可容納更多記憶體容量。不過,最終成品數量還取決於工廠處理的晶圓數、可正常運作的晶片數,以及可用的封裝產能。

較早前的 i-stock 聲明提到,美光計畫將每月 HBM 產量從 20,000 片晶圓提高至 60,000 片,目標為三倍。聲明也轉述執行長 Sanjay Mehrotra 的目標,希望在隔年使 HBM 市占率超過 20%。這些都是較早提出的目標;2026 年 10 月公布的擴產計畫,則聚焦於支援下一階段發展的廠房與客戶承諾。

i-stock 表示,與美光重新合作後,將導入自動化倉儲、分揀、導引車及機器人,並連結工廠與企業管理系統。這些設備能在各製程環節間搬運物料並追蹤位置;隨著更多廠房與製程投入運作,這也是不可或缺的營運需求。

台灣結合先進處理器與記憶體

賴清德總統在台中廠啟用典禮上,將美光的投資與台灣在 AI 運算領域的整體角色相連結。他指出,台積電的先進晶片製造與封裝能力,與美光的記憶體擴產相互配合。

賴清德在典禮上以台灣總統身分談到 AI 需求與台灣製造能力的關係:

世界對 AI 的需求愈大,就愈需要台灣

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台積電製造先進邏輯晶片,也提供 CoWoS 封裝技術,能在精密封裝中連接運算晶片與記憶體。美光則供應記憶體技術,並擴充製造、堆疊與測試能力。兩家公司都在台灣布局,使 AI 硬體生產的多個關鍵環節集中於同一個產業網絡。

賴清德表示,美光在經濟部 A+ 產業創新研發計畫支持下,已在台灣進行 HBM 研究。他也指出,政府三大投資獎勵方案已延長至 2027 年,並提供融資與服務,協助企業處理土地、水及電力需求。

擴產也帶動設備、材料、精密零組件與自動化需求。美光的廠房改建計畫也顯示,所涉工作多元,從調整廠務設施,到安裝生產設備、開發新世代記憶體所需的封裝製程,皆包括在內。

其他記憶體業者也在擴產

台灣的記憶體投資不只美光一家。業界估計,各公司因應不同類型記憶體需求而公布的擴產支出,總額超過新台幣 6,744 億元。

南亞科技計畫於 2027 年下半年開始在 Fab 5A 投產,目標是在 2028 年達到每月 30,000 片晶圓投片量,2029 年則達 35,900 片。晶圓投片量指的是進入製造流程的晶圓數。這些目標意味著兩年間每月增加 5,900 片,增幅約 19.7%。

南亞科技也於 10 月 1 日獲准在屏東科學園區興建 3D 晶圓封裝與測試廠。該計畫將採用矽穿孔與晶圓堆疊技術,製造高效能記憶體。其 HBM 世代、規格、投資金額,以及施工與投產時程尚未公布。

華邦電計畫將高雄廠月產能從 15,000 片提高至 24,000 片,增幅達 60%。另一座廠房預定於 2027 年 1 月動工,接著在 2029 年 1 月安裝設備,並於同年底量產。

旺宏投入新台幣 378 億元生產單層式 NAND 快閃記憶體與嵌入式多媒體卡記憶體,預期 2027 年新增產能,每月 12 吋晶圓產量估計將超過 30,000 片。這些計畫服務不同記憶體市場,而美光台中廠啟用則直接擴充 AI 系統所用 HBM 的封裝產線。

重點整理

  • 美光於 2026 年 10 月 15 日啟用台中第二座先進封裝與測試廠。
  • 美光全公司 2027 年 HBM 供應量大部分已簽約,但台中新廠部分產出尚未納入最終協議。
  • 截至 2026 年 6 月,美光在台累計投資超過新台幣 1.6 兆元,其中約一半是在四年內投入。
  • 桃園、銅鑼、台中與台南正擴充晶圓製造、HBM 封裝及測試的不同環節。
  • 銅鑼預計於 2027 年年中出貨,桃園 Fab 11E 則預計約於 2028 年營運。
  • 美光預期 2027 年及 2028 年記憶體供應將更為吃緊,部分客戶協議期限延伸至 2031 年。
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