一顆25美元的記憶體晶片，顯示供應緊縮已蔓延多廣
一款廣泛使用的DDR4 8Gb記憶體晶片，8月合約價升至25美元，約為2016年6月2.90美元的8.6倍。在南韓，三星DDR5-5600 16GB記憶體模組的最低標價於10月15日升至349,740韓元，約為2025年9月的5倍。記憶體短缺如今正改變從家用電腦到企業伺服器等各類產品的成本。
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人工智慧推升了這波供應緊縮。三星電子、SK海力士與美光正將更多產能轉向高頻寬記憶體（HBM）及其他資料中心用記憶體，讓智慧型手機、筆記型電腦、電視與遊戲主機使用的傳統產品可分得的產能減少。
TrendForce預測，第4季通用型DRAM合約價格將再上漲10%至15%，NAND快閃記憶體價格則將上漲15%至20%。Gartner預期，短缺與交貨延誤將持續至2028年，新增的大量供應最快也要到2027年年中至下半年才會到位。
壓力不只落在採購零組件的業者身上。電腦製造商正在降低儲存容量，企業重新評估伺服器汰換計畫，消費者則延後購買。即使採購規模龐大的公司，也公開抱怨價格，並競相預訂未來產量。
南韓正處於這場角力的核心。南韓政府的半導體指標顯示，該國2023年在全球記憶體市場的占比為61%，DRAM市占率則為73.5%。因此，南韓製造商決定生產哪些晶片，將影響全球各地的電子產品買家。
為何AI記憶體排擠一般晶片
DRAM會暫存裝置運作時需要的資訊。NAND快閃記憶體則在關機後保留檔案，常用於固態硬碟（SSD）。HBM是一種特殊的DRAM，將多顆晶片垂直堆疊在強大處理器旁，讓大量資訊能在兩者之間快速傳輸。
AI處理器需要這種速度，因為在訓練模型或生成回答時，會反覆搬移大量資料。處理器即使能快速完成運算，也可能耗費寶貴時間等待記憶體提供下一批資料。HBM有助於縮短等待時間。
生產HBM比生產相同容量的傳統記憶體更耗用矽晶圓產能。TechInsights資深副總裁崔正東（Choi Jung-dong）指出，HBM需要更大的晶片面積、堆疊與測試。製造商會先在薄片狀的矽晶圓上製作多顆晶片，再切割分離。
Kyobo Securities估計，HBM占DRAM總產能的比重將從2025年的27%升至2027年的40%，增加13個百分點。生產資源也正轉向大容量伺服器DRAM，使獲利較低的消費性裝置記憶體供應更加吃緊。
SemiAnalysis估計，HBM成本約為其他記憶體的3倍，至少占封裝後圖形處理器成本的一半。三星近期的AI記憶體策略整合先進記憶體、共用伺服器產能與更快的儲存技術，顯示供應商正如何依照這些需求重整業務。
先前減產，留下的閒置產能所剩無幾
這波短缺之前，市場曾經歷低迷，令製造商對擴產轉趨謹慎。COVID-19疫情期間，主要雲端業者囤積記憶體與儲存設備，以防供應中斷並支援遠距工作。之後需求轉弱、庫存累積，價格在2022年與2023年一路下跌。
記憶體與儲存顧問公司Coughlin Associates總裁Thomas Coughlin表示，三星在那波低迷期間減產50%。他指出，市場在2023年底開始復甦時，製造商仍不願再次投資。
Coughlin說明了這種謹慎如何影響工廠投資：
因此，2024年以及2025年大部分時間，幾乎沒有投入新產能。
興建半導體工廠通常耗資150億至200億美元，至少需要兩到三年。設備安裝、穩定量產及客戶認證還需要更多時間。買家如今需要更多晶片，製造商也無法立刻補回先前保留不擴充的產能。
資料中心支出改變供需平衡
亞馬遜、Google、微軟與Meta的資料中心投資合計從2024年的2,170億美元增至2025年的3,800億美元，預計2026年將達6,500億美元。2026年的預測金額幾乎是2024年的3倍。
Data Center Map統計，全球規劃中或正在興建的設施近2,000座，另有約9,000座現有設施。McKinsey預測，企業到2030年將投入7兆美元興建資料中心，其中5.2兆美元用於AI專用設施。伺服器、儲存設備與網路設備在這筆AI支出中預計占3.3兆美元。
美光的營收組合顯示需求轉變有多快。HBM及其他雲端相關記憶體占其DRAM營收的比重，從2023年的17%升至2025年的近50%。2025年第4季，三星、SK海力士與美光合計占全球DRAM營收的90.5%，使生產決策集中在三家供應商手中。
各方對HBM市場規模的預測差異甚大。美光執行長Sanjay Mehrotra預估，市場到2028年將達1,000億美元；摩根大通則預測當年將達2,800億美元，高於2026年的約640億美元。兩者都預期市場快速成長，但對規模的估算相距甚遠。
韓國進出口銀行的2026年半導體展望預測，記憶體市場成長率將超過30%，南韓半導體出口則將增加11%，但仍取決於美國關稅政策。報告也預測晶圓代工市場將成長20%，達2,100億美元。晶圓代工廠負責製造其他公司設計的晶片。
馬斯克與蘋果尋求更多議價空間
特斯拉執行長伊隆．馬斯克公開向記憶體供應商提出價格質疑。他在X平台回應一則談論摩根大通市場展望的貼文時，稱讚美光，同時批評其他未具名製造商。
馬斯克如此形容兩者差異：
美光對未來記憶體價格一直很合理，但其他業者漫天要價。
外界普遍認為，馬斯克矛頭指向三星與SK海力士，兩家公司與美光共同主導DRAM供應。特斯拉也為了確保供應，減少自家AI晶片使用的記憶體。摩根大通表示，美光已簽下26項協議，涵蓋其2027會計年度逾75%的產量，顯示客戶已預訂多少未來產能。
蘋果在規劃最新款iPhone的生產時，也面臨類似問題。據稱新任蘋果執行長John Ternus於10月15日表示，記憶體限制已構成重大危機，所有選項都應保留。他說自己已與川普政府官員討論可能的解決方案。
據報導，蘋果正在內部測試中國記憶體，長鑫存儲（CXMT）被視為可能的替代供應商。美國兩黨國會議員都提出國安疑慮。目前尚未宣布最終供應商決定或核准時程。
晶片設計商調整規劃
超微（AMD）執行長蘇姿丰10月7日訪問南韓時，談到記憶體供應吃緊，以及與合作夥伴提前數年規劃的必要性。她此行引發外界揣測，她可能與三星及SK海力士商談確保記憶體供應。
蘇姿丰說明協調的重要性：
記憶體是各類運算不可或缺的一環，而目前供應吃緊。
外界也預期輝達將調整記憶體配置。Vera Rubin採用12層HBM4，容量為288GB；預期中的Vera Rubin Ultra配置則採用8層HBM4E，容量為256GB。規格將減少32GB，約11%，每組堆疊使用的層數也較少。
減少層數可降低製造成本，以及每組堆疊所需的記憶體晶粒數量。不過，HBM仍朝更高堆疊發展：HBM4標準最高支援16顆晶粒；三星研究人員2024年也展示以混合鍵合技術堆疊16層晶片。混合鍵合透過極細的連接點接合晶片，不同於傳統焊錫凸塊。
英特爾執行長陳立武警告，記憶體短缺正延誤各項計畫。他在Cisco AI Summit上直言買家何時才能等到供應改善：
要到2028年才會緩解。
個人電腦買家面臨價格上漲與選擇減少
Omdia估計，DRAM與SSD目前占個人電腦生產成本近40%，高於先前約15%。製造商必須決定，要將多少成本增幅轉嫁給消費者，又要承擔多少成本、接受利潤下滑或降低產品規格。
全球個人電腦出貨量估計大幅收縮。IDC估計第3季出貨量為6,270萬台，年減20.1%；Omdia估計為5,810萬台，年減21.2%；Gartner則預測為5,535萬台，低於去年同期的7,130萬台。各家統計因計算方式不同而有差異，但都顯示出貨量下滑超過五分之一。
Omdia記錄，惠普出貨量下滑31%，蘋果則下滑11%。該機構預測第4季市場將萎縮24%，翌年全年再下滑7%。三星Galaxy Book與LG Gram業務同樣面臨壓力，必須在保護利潤的同時，讓電腦對買家仍具吸引力。
首爾龍山電子商場一名電腦零件賣家表示，每日組裝電腦銷量從約10台降至3、4台，營收減少超過一半。顯示卡與SSD也變得更貴，推高新電腦的整體成本。
部分消費者改買較舊的DDR4系統或二手記憶體。DDR4與DDR5需要相容的主機板，因此更換世代可能不只要更換記憶體模組。不同產品的價格也有差異：有些較舊的DDR4封裝模組交易價格甚至高於較新的DDR5產品，但南韓市售DDR4模組的標價仍較低。
記憶體市場各類產品漲幅不一
TrendForce將第3季個人電腦DRAM合約價格漲幅預測，從15%至20%上調至18%至23%。部分供應商8月合約價格上漲23%至28%，個人電腦製造商則尋求在年底前 확보可供使用超過10週的庫存。
Counterpoint Research記錄其調查季度DRAM價格上漲80%至90%。Gartner年度展望估計DRAM與NAND價格分別上漲237%及293%。這些數字涵蓋不同期間與產品類別；零售模組價格還包括組裝與通路成本。
NAND產品的價格變化尤其不均。8月128Gb多階式儲存單元晶片合約價格上漲1.42%，達30.48美元。較舊的單階式儲存單元產品則上漲16.51%，達28.22美元，原因是製造商將投資集中於較新的儲存技術。
電信設備與智慧電表仍使用一些難以在既有設計中替換的舊款晶片。即使其他領域需求轉弱，這些產品的買家仍可能遭遇短缺。智慧型手機、電視與遊戲主機也受到影響：Circana分析師Mat Piscatella記錄，截至8月，美國Xbox銷量下滑33%，PlayStation銷量下滑25%，降至2013年以來最低水準。
企業伺服器越來越難以負擔
伺服器價格已升至一年前的2至4倍。Gartner估計，記憶體占伺服器製造成本的比重，已從2015年的39%升至2026年的59%；到2030年，傳統伺服器的記憶體成本占比可能達到約三分之二。
因此，執行一般資料庫、辦公室應用程式與儲存系統的企業，也面臨與AI開發商相同的供應壓力。設備價格上漲與交貨延誤，可能迫使企業延後擴充或取消汰換計畫。
Gartner建議企業重新檢視汰換時程，讓現有伺服器延長服役時間。該機構預期DRAM價格將於2028年上半年開始趨穩，但伺服器供應商可能維持較高售價以保護利潤。設備價格要回到2025年水準，所需時間可能更久。
南韓的半導體產業指標將政府採用的DRAM價格指標定義為DDR4 8Gb年平均價格。產量、市占率與價格數據每半年公布一次，貿易數據則按月公布。這項以較舊世代產品為基準的指標，只反映了市場的一部分；如今市場不同領域的變化速度差異甚大。
新工廠帶來希望，供應時程卻各不相同
美光、三星與SK海力士都在擴產，但工廠完工只是第一步。製造商還必須安裝設備、提高良率並取得客戶認證，工廠才能穩定供貨。
已公布的擴產時程橫跨數年：
- 2027年：美光預期新加坡與一座改建後的台灣廠開始生產，台灣廠預計下半年投產。
- 2027年：SK海力士位於清州的HBM工廠預定完工。
- 2028年：三星計畫在新的平澤廠投產；SK海力士則以年底前啟用西拉法葉設施為目標。
- 2030年：美光位於奧農達加郡的廠區預期達到滿載生產。
既有工廠也是應對措施之一。三星與SK海力士在中國的三座工廠，2025年合計投資額增至1.4871兆韓元，延續其增加中國廠投資的趨勢。設備出口管制會影響這些廠區的升級方式。
較長期的計畫包括據報三星與SK海力士將在南韓西南部投資800兆韓元興建四座記憶體工廠。TechInsights策略長金丹（Dan Kim）警告，擴產可能需要三年以上；SK集團會長崔泰源則表示，晶圓短缺可能持續至2030年。
中國供應增加與需求轉弱，可能緩解部分壓力
長鑫存儲（CXMT）與長江存儲（YMTC）正擴大傳統記憶體產量。據估計，CXMT在2025年年中約占全球DRAM市場8%；YMTC則在當年第3季約占全球NAND出貨量13%。
兩家公司在中國國內市場的地位更強。TechInsights估計，CXMT在中國DRAM市場的市占率約為30%，YMTC在NAND市場的市占率接近40%，但兩家公司在北美市場的布局有限。中國擴產可能增加傳統記憶體供應，但進入美國市場仍面臨政治與商業障礙。
需求也正在調整。個人電腦製造商改採容量較小的SSD，智慧型手機廠商使用現有庫存，消費者則延後換機。在整體短缺結束之前，這些變化可能先緩解特定產品的供應壓力。
製造商仍面臨產業長久以來的風險：多波新工廠可能恰好在需求轉弱時投產。目前買家必須因應供應有限、零組件昂貴的現況；市場何時復甦，則取決於他們需要哪種記憶體，以及新增產能何時能投入使用。
重點摘要
- TrendForce預測，第4季通用型DRAM合約價格將上漲10%至15%，NAND則上漲15%至20%。
- HBM占DRAM產能的比重，預計將從2025年的27%升至2027年的40%。
- 記憶體成本上漲正擠壓個人電腦、智慧型手機、遊戲主機與傳統企業伺服器。
- 大量新增供應預計要到2027年年中至下半年才會到位，短缺可能持續至2028年。
- 中國產量增加與消費需求轉弱，可能緩解部分傳統記憶體產品的短缺。
