前言：晶片競賽中的新興力量
在全球爭奪科技主導權的競賽中，羅偉偉博士與她創立的英諾賽科（Innoscience）的故事格外引人注目。羅偉偉曾是 NASA 科學家，如今已成為中國推動半導體自主化的關鍵人物，帶領英諾賽科成為全球最大的氮化鎵（GaN）功率元件專業製造商。美中在先進晶片技術領域逐漸脫鉤之際，英諾賽科崛起，並獲選為輝達（Nvidia）新一代 AI 資料中心的供應商，象徵半導體產業格局正發生劇烈轉變。
目錄
羅偉偉是誰？
羅偉偉博士的經歷相當不凡。她取得梅西大學應用數學博士學位，並在 NASA 任職 15 年，致力於推進航太技術，逐漸建立起頂尖科學家的聲譽。2015 年，羅偉偉返回中國，在珠海創立英諾賽科，抱持宏大的願景：押注具有產業革新潛力的氮化鎵，讓中國在功率電子的下一個時代成為領先者。
這項決定兼具策略考量與愛國情懷。美國收緊對中國的晶片出口限制之際，羅偉偉看見填補缺口、從內部推動創新的機會。如今，她擔任英諾賽科董事長，帶領公司在競爭激烈的市場中迅速崛起。
什麼是氮化鎵（GaN），為何重要？
氮化鎵是一種寬能隙半導體材料，相較於傳統矽材料具備多項優勢。氮化鎵元件可在更高電壓、頻率及溫度下運作，因此適用於講求高效率與高功率密度的領域，例如 AI 資料中心、電動車及再生能源系統。
與矽相比，氮化鎵具備以下優勢：
- 關斷損耗最高可降低 15 倍
- 導通損耗降低 3 倍
- 切換頻率更高，可打造體積更小、重量更輕、效率更高的系統
- 降低能源消耗及二氧化碳排放
這些特性正在改變功率電子產業，讓設計更精簡，也使自動化製造與標準化效能成為可能。羅偉偉博士在 IPF 2025 大會上表示：「氮化鎵技術對於提升電子產品至關重要，能打造更小巧、更有效率的系統，節省電力、降低成本並減少二氧化碳排放。」
英諾賽科的突破：從 8 吋晶圓到全球領導地位
英諾賽科最重要的成就，是率先大規模量產 8 吋矽基氮化鎵晶圓。相較於業界標準的 6 吋晶圓，這項突破使晶片產量增加 80%，單位成本降低 30%。英諾賽科因此成為全球唯一能以工業規模生產完整電壓範圍氮化鎵產品的公司。
英諾賽科採用整合元件製造商（IDM）模式，掌握製程每個階段，包括晶片設計、晶圓製造、封裝及可靠性測試。這種垂直整合有助於快速創新、維持高良率（截至 2024 年底已超過 95%），並提升面對供應鏈中斷時的韌性。
截至 2024 年，英諾賽科每月氮化鎵晶圓產能達 13,000 片，生產基地位於蘇州與珠海。產品應用於消費電子、風力發電、工業自動化、汽車電子，尤其是 AI 資料中心；這個領域對高效率、高功率晶片的需求正快速攀升。
英諾賽科與輝達：策略合作
2025 年 8 月，輝達指定英諾賽科為其先進 800 VDC 電源架構的中國唯一供應商，該架構將用於新一代 AI 資料中心。此舉引發全球關注，因為輝達是 AI 硬體產業的重要風向球。英諾賽科第三代氮化鎵元件為輝達提供完整的電源供應解決方案，涵蓋 15 V 至 1200 V 的電壓範圍。
這項合作仍處於測試階段，尚未轉為正式訂單，但突顯英諾賽科的技術實力，以及中國在全球半導體供應鏈中日益增長的影響力。考量到英諾賽科與另一家輝達重要合作夥伴英飛凌科技（Infineon Technologies）仍有法律糾紛，此次獲選尤其受到矚目。
中國不斷擴大的半導體生態系
英諾賽科的崛起並非單打獨鬥。其供應鏈涵蓋多家中國企業：長電科技（JCET）負責晶片封裝，三安光電提供高純度藍寶石基板，北方華創（Naura Technology）則供應金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）設備，這類設備是氮化鎵磊晶的關鍵。這些合作顯示中國半導體產業日益成熟、自給能力持續提升。
產業結盟與全球擴張
英諾賽科也建立了國際合作關係。2025 年 4 月，公司與意法半導體（STMicroelectronics，ST）簽署重要協議，雙方可互相運用對方的氮化鎵晶圓製造產能。這項合作旨在加快氮化鎵技術在全球的普及，並為客戶提供更具彈性的供應鏈。
羅偉偉博士談及這項合作時表示：「意法半導體與英諾賽科的合作，將進一步擴大並加速氮化鎵技術的普及。英諾賽科與意法半導體的團隊將攜手開發新一代氮化鎵技術。」
英諾賽科於 2022 年開始在美國與歐洲拓展業務，全球化企圖十分明確。台積電（TSMC）計畫在 2027 年退出氮化鎵晶圓代工業務，預料將進一步鞏固英諾賽科的市場地位。
法律訴訟與市場挑戰
英諾賽科的快速崛起也伴隨爭議。2023 年 7 月，美國國際貿易委員會（USITC）在高效能電源轉換公司（Efficient Power Conversion，EPC）提出專利申訴後，對英諾賽科展開調查。USITC 於 2024 年 11 月裁定英諾賽科侵犯 EPC 的一項專利，並對特定晶片進口發布有限排除令。英諾賽科提出上訴，並於 2025 年 3 月贏得法律上的勝利，專利審判及上訴委員會裁定 EPC 的專利請求項無效。
與此同時，英飛凌科技在美國與德國對英諾賽科提起一連串訴訟，指控其侵犯專利。英諾賽科則在中國提起反訴，反映全球半導體競爭日益緊張。
另一項挑戰是獲利能力。英諾賽科在 2024 年以 29.9% 的市占率領先全球氮化鎵功率元件市場，並在 2023 年以營收排名第一，市占率達 33.7%，但由於研發投入龐大且採取積極定價策略，公司仍未獲利。據報導，其報價約為其他全球氮化鎵業者的一半，引發外界對價格戰及其產業影響的疑慮。
首次公開發行與公司結構
英諾賽科的成長於 2024 年 12 月迎來重要里程碑：公司在香港交易所成功首次公開發行（IPO），募得 14 億港元，估值達 270 億港元。董事會由羅偉偉博士領導，她透過多種持股安排掌握公司逾三分之一股權。主要投資者包括招商銀行、吳江產業投資、韓國 SK Inc. 及數家國家支持的基金，反映國內外投資人對英諾賽科前景的信心。
公司營收快速成長，從 2021 年的人民幣 6,800 萬元增至 2023 年的人民幣 5.93 億元，但由於持續投資產能與技術，仍然處於虧損狀態。
英諾賽科的願景：功率電子的「晶片時代」
英諾賽科策略的核心，是羅偉偉提出的功率電子「晶片時代」願景。她期盼氮化鎵技術帶領產業從人工組裝邁向自動化，從零散方案轉向標準化、以科學為本的製造模式。透過將被動元件整合到印刷電路板上，並採用自動化生產，氮化鎵系統能提供可預期的效能、更低的成本與更高的可靠性。
這項願景已逐步在 AI 伺服器、電動車及機器人等領域實現。氮化鎵的高效率與高功率密度，正為這些產業開啟新的可能性。羅偉偉在 IPF 2025 大會上表示：「氮化鎵讓產業得以從手工技藝邁向科學，從人工組裝邁向自動化，從零散走向標準化，象徵功率電子晶片時代的到來。」
更廣泛的影響：中國爭取科技自主
英諾賽科的故事，是中國推動科技自主的縮影。地緣政治緊張與出口管制打亂全球供應鏈之際，中國正大舉投資本土創新與製造。英諾賽科在氮化鎵領域的成功，展現中國在戰略科技領域迎頭趕上的潛力；這個領域過去一直由美國與歐洲領先。
預估全球氮化鎵功率元件市場到 2030 年將達 43.76 億美元，年複合成長率接近 50%。隨著高效率、高功率晶片需求加速攀升，英諾賽科已具備良好條件，可望左右功率電子的未來，進而影響數位經濟的發展。
摘要
- 前 NASA 科學家羅偉偉博士於 2015 年創立英諾賽科，推動中國在氮化鎵（GaN）半導體領域取得領先地位。
- 英諾賽科率先大規模量產 8 吋矽基氮化鎵晶圓，提高產量並降低成本。
- 公司是全球最大的氮化鎵專業製造商，也是輝達新一代 AI 資料中心的重要供應商。
- 英諾賽科採用 IDM 模式，掌握完整生產流程，以推動創新並提升韌性。
- 法律糾紛與積極定價帶來挑戰，但英諾賽科在營收及市占率方面仍居市場領先地位。
- 公司在香港 IPO 募得 14 億港元，反映投資人信心強勁。
- 羅偉偉提出的「晶片時代」願景正改變功率電子產業，氮化鎵也在多個產業加速普及。
- 英諾賽科的崛起凸顯在全球供應鏈緊張之際，中國科技自主能力持續提升。
