兩座大型工廠面臨技術與許可考驗
據了解相關計畫的人士透露，三星電子正將其位於中國西安的工廠改為生產286層NAND記憶體晶片，目標是在2026年12月達到每月5,000片晶圓，並於2027年12月提高至每月40,000片。隨著中國競爭對手長江存儲（YMTC）擴大市占，SK海力士也正推動大連廠升級，將層數從192層提高至至少240層。
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這些計畫於2026年10月21日披露，涉及的工廠都是兩家南韓企業儲存業務的核心據點。單是西安廠，就約占三星全球NAND產量的40%。兩家公司均證實已與華盛頓協商並展開相關工作，但尚未公開詳細生產時程。
美方許可是關鍵條件，因為這些工廠仰賴受美國出口管制的設備。華盛頓已將兩家公司從豁免制度改為每年核發設備許可，同時維持一貫政策：允許既有中國工廠繼續營運，但不批准技術升級或擴充產能。
商業壓力已清楚浮現。市場研究機構Omdia統計，2026年第二季長江存儲在中國NAND市場的市占率達38.5%，超越三星的33.5%及SK海力士的17%。兩家南韓企業正設法更新重要生產基地，同時因應旨在限制中國取得先進晶片製造技術的規定。
增加層數對儲存有何意義
NAND快閃記憶體能在裝置斷電後保留資料。它用於儲存智慧型手機和電腦中的照片、應用程式及檔案，也提供人工智慧資料中心所用固態硬碟的儲存空間。AI系統需要這類儲存，以便隨時調用大量資料進行處理。
製造商將記憶體單元垂直堆疊，讓晶片容納更多儲存空間。增加層數可提高儲存密度，並降低每單位資料的儲存成本。晶圓是製造多顆晶片的薄圓片，之後會切割並封裝成品。
據了解其營運情況的人士表示，三星西安廠目前生產約200層NAND。升級至286層後，該廠將更接近三星已在中國以外市場銷售的技術水準。SK海力士從192層升至240層，層數將增加25%。
產量與儲存容量是相關但不同的指標。若每顆晶片能儲存更多資料，工廠即使處理相近數量的晶圓，也能產出更多儲存容量。這說明即使企業表示工廠產能維持不變，以儲存密度更高的新產品取代舊產品，仍具有商業上的重要性。
三星Monami計畫目標提升八倍產量
三星的轉換計畫內部稱為Monami，名稱取自法文「我的朋友」。該計畫將在中國西北部的西安廠導入第九代V9 NAND技術，層數為286層。
據報導，升級產品的月產量預計從2026年12月的5,000片晶圓，提升至2027年12月的40,000片。隨著工廠調整產品組合，V9的規劃產量將在一年內增加八倍。
三星表示，相關工作符合美國出口規定。該公司在聲明中指出，升級是為因應客戶需求，並表示將維持現有工廠規模：
這項升級旨在滿足全球客戶日益增加的需求，包括美國客戶。公司不會擴大產能，也不會興建新的製造設施。
西安廠占三星全球NAND產量的比重，使這項轉換的影響不僅限於中國。更新一座約占公司NAND總產量五分之二的工廠，可能有助三星向多個市場的客戶供應儲存密度更高的產品。
大連廠連結中國升級與美國潛在生產
SK海力士正在中國東北部的大連廠安裝設備，並表示正就相關工作與美國政府溝通。熟悉計畫的人士指出，該廠將從192層產品轉向240層或更高層數的NAND。
一名知情人士表示，該公司獲准在大連生產最高240層的晶片。目前尚未公開確認兩家公司這些升級計畫可獲准使用設備的完整範圍。
SK海力士於2021年收購英特爾NAND業務，藉此取得大連廠。收購的業務現稱Solidigm，仰賴大連廠作為唯一的NAND晶片製造據點，並正籌備在美國首次公開募股。
該公司也可能向美方申請許可，在大連進行300層以上晶片的研發。這項工作有助於為未來可能在美國生產的技術做準備；SK海力士正與川普政府討論興建新的NAND工廠。
因此，大連廠同時納入兩項相互關聯的計畫：改善既有的中國生產基地，以及開發可支援美國製造的技術。申請研發許可及美國設廠討論仍在考量中，尚未轉化為已完成的投資。
美國許可規定如何改變
美國國會研究處於2025年9月19日發布的半導體出口管制報告記錄了相關規定的轉變。報告指出，美國於2025年9月將三星和SK海力士在中國的指定設施移出經驗證終端使用者計畫，並於2025年12月31日生效。
這項通常稱為VEU的計畫，讓指定設施無須另行申請出口許可，即可接收某些受管制商品。兩家公司在中國的工廠過去曾受惠於部分設備出貨豁免。國會研究處的報告也說明，相關限制於2024年擴大，涵蓋在中國營運的南韓企業。
據了解該決策的人士表示，華盛頓隨後核發涵蓋2026年全年的年度設備出口許可。據稱，這些許可是為了支援工廠持續營運和維護，而非允許不受限制地擴產。美國蝕刻機等晶片製程設備，現須取得明確授權才能運送。
美國工業與安全局仍沿用其2025年的立場：將批准支援既有工廠營運的許可，但不允許擴充產能或升級技術。三星表示其工作符合相關規定，因此個別許可的條件對轉換計畫尤其重要。
工廠變革的關鍵時程
目前的升級計畫，延續了數年來所有權變動、設備限制與投資的演變。接下來的生產里程碑，是三星設定的2026年12月目標，以及預定於2027年12月進一步提高的產量。
- 2021年：SK海力士收購英特爾NAND業務，取得大連廠。
- 2022年：美國對出口至中國的部分先進晶片及半導體製造設備實施管制。
- 2024年：華盛頓擴大限制措施，包括影響在中國營運的南韓晶片企業。
- 2025年9月：三星和SK海力士的指定設施被移出VEU計畫，相關變更於2025年12月31日生效。
- 2026年：年度許可涵蓋支援兩家公司中國業務的設備出貨。
- 2026年12月：三星目標在西安廠每月生產5,000片搭載286層V9 NAND的晶圓。
- 2027年12月：三星目標在西安廠將該產品產量提高至每月40,000片晶圓。
採行年度許可制度後，取得設備的安排必須與工廠時程一併考量。據報導，三星的增產計畫延續至2027年，超出2026年許可涵蓋的日曆年度。
長江存儲在中國NAND市場領先
Omdia數據顯示，長江存儲市占增加之際，南韓競爭對手的市占則下滑。2026年第二季，長江存儲在中國NAND市場的市占率為38.5%，高於2025年全年的28%。三星市占率從36%降至33.5%，SK海力士則從20%降至17%。
這項比較將單季數據與全年數據並列，但仍顯示競爭格局變化的幅度。長江存儲最新市占率比2025年數字高出10.5個百分點。第二季三星與SK海力士合計市占率為50.5%，低於2025年合計的56%。
根據Omdia數據，長江存儲的全球NAND出貨量占比也達14%，排名第三。全球出貨量指標與中國市場數據衡量的是不同市場；在中國市場，長江存儲目前領先三星5個百分點。
熟悉長江存儲產品的人士表示，其產品組合主要為160層和232層NAND，另有少量294層產品。該公司也正規劃300層以上產品。長江存儲的進展，讓三星和SK海力士有了在中國工廠汰換舊技術的明確理由。
技術競賽不只發生在中國工廠
三星已在中國以外市場銷售最高286層的NAND，並於2026年8月展示一款超過400層的原型產品。SK海力士銷售的產品則最高達321層。兩家公司計畫升級中國工廠，將縮小各自製造網絡內部的技術落差。
三星西安計畫將使該廠達到其目前在其他地區商用產品的層數。SK海力士計畫將大連廠提升至至少240層，超越目前的192層；可能在該廠進行的300層以上研發，則著眼於下一世代技術。
中國記憶體技術的進展也不只來自長江存儲。長鑫存儲（CXMT）近期宣布一種新的電晶體架構，並表示這項技術可能使其領先競爭對手。長鑫存儲是中國發展本土記憶體能力的一環；而面臨市場變化的三星和SK海力士，直接的NAND競爭對手則是長江存儲。
國會研究處的報告指出，美國管制措施旨在達成經濟與國家安全目標，包括限制取得先進晶片生產技術，以及減緩可能支援軍事用途的能力發展。報告也記錄了部分利害關係人的相反憂慮：限制措施可能促使中國在國內發展更多技術。兩家公司的工廠決策，正處於這些政策目標與維持產品競爭力的商業需求之間。
AI需求提高既有工廠的價值
據報導，阿里巴巴、字節跳動和騰訊向輝達下單，總額達350億美元；輝達目前難以滿足中國市場需求。這些訂單涉及用於運算的處理器，而三星與SK海力士在中國的升級計畫，則關乎運算系統周邊所需的儲存設備。兩者都反映出AI基礎設施支出的強勁成長。
工廠升級是在投資大幅增加後展開。三星和SK海力士2025年在中國三座工廠的總支出達1.4871兆韓元，3月報導詳述了兩家公司增加在中國的投資。三星在西安的支出增加67.5%，SK海力士在無錫的投資增加逾一倍，大連支出則增加52%。
無錫廠生產DRAM，也就是系統運作期間用來暫存資料的記憶體；西安和大連則生產用於持久儲存的NAND。因此，先前的投資涵蓋記憶體供應鏈的不同環節，而非單一產品。
新工廠通常需要三至五年才能完成興建、設備安裝並全面投產。中國既有設施已具備成熟的製造基礎；若設備取得與產線轉換順利進行，便能更快因應需求。對需要更多儲存空間的客戶而言，關鍵在於這些工廠能多快供應新產品，以及每片晶圓能提供多少儲存容量。
重點摘要
- 三星計畫將西安廠轉為生產286層V9 NAND，據報導，目標是在2026年12月達到每月5,000片晶圓，並於2027年12月提高至每月40,000片。
- SK海力士正將大連廠從192層升級至240層或更高，並可能申請許可，研發超過300層的產品。
- 兩家公司均表示正與華盛頓協商。三星表示計畫符合美國規定，且不會擴充工廠產能。
- 2025年12月31日後，年度美國設備許可取代了先前的豁免制度。
- 2026年第二季，長江存儲在中國NAND市場的市占率為38.5%，領先三星的33.5%及SK海力士的17%。
- AI儲存需求與中國競爭加劇，使兩家南韓企業面臨更大的工廠現代化壓力；這些工廠仍是其業務核心。
