創紀錄投資計畫，面對已排滿的訂單
三星電子計畫於2026年投入84.4兆韓元興建廠房及購置設備，其中76.8兆韓元將用於半導體；公司預期，記憶體晶片短缺將持續至2028年。三星10月29日公布第三季業績時同步宣布這項計畫，並表示2027年高頻寬記憶體的預定供應量已全數售罄。
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這項投資將超越三星2024年創下的廠房設備支出紀錄54兆韓元，增加30.4兆韓元，增幅約56%。若計入研發支出，今年總投資可能達到140兆韓元。三星正加快南韓平澤與美國德州泰勒市的建廠計畫，同時尋求客戶做出更長期的承諾，以支撐擴產。
三星公布這項支出計畫前，已報告季度營收195.25兆韓元、營業利益107.44兆韓元。半導體部門貢獻其中106.5兆韓元營業利益，約占公司總額的99.1%。智慧型手機、電視與家電則面臨另一番光景：負責這些產品的部門已連續第二季虧損8,000億韓元。
三星的業績呈現記憶體短缺帶來的兩種結果。晶片價格上漲，加上人工智慧資料中心需求強勁，為半導體業務帶來龐大利潤；另一方面，零組件成本攀升，則壓縮了使用這些晶片的產品獲利。三星的應對方式包括擴建廠房、推出新記憶體產品，以及簽訂展望未來數年的合約。
84.4兆韓元將用於何處
三星將年度廠房設備預算約91%分配給負責半導體業務的Device Solutions部門。三星顯示器將獲配3.9兆韓元，用於升級既有生產線並提升效能。其餘3.7兆韓元的用途尚未公布。
第三季廠房設備支出達29兆韓元，其中27.2兆韓元用於半導體。截至9月底，支出總額為56.9兆韓元，距年度預估還差27.5兆韓元，須在第四季完成。這代表投資步調將與7月至9月期間大致相當。
年度計畫比2025年支出高出31.7兆韓元，推算前一年度總額為52.7兆韓元。因此，三星計畫在一年內將投資提高約60%。投資重點包括新記憶體廠、相關基礎設施及晶圓代工產能；晶圓代工是替其他公司製造其設計晶片的業務。
三星表示，這項涵蓋1月1日至12月31日的投資計畫是預估值，可能隨市場狀況改變。儘管公司正準備進一步擴產，以服務AI與高效能運算客戶，目前尚未敲定2027年的年度支出金額。
HBM4成為三星記憶體業務核心
三星成長最快的記憶體產品包括第六代高頻寬記憶體HBM4。HBM透過堆疊記憶體晶片，讓大量資訊能快速傳送至處理器，因此適用於AI系統；這類系統的處理器需要穩定取得資料才能進行運算。
三星記憶體策略行銷部門主管、執行副總裁金在俊在業績說明會上談到業務擴張速度：
第三季HBM4營收較前一季至少增加三倍，
HBM4約占三星當季HBM營收的60%。三星也表示，已達成年度目標，讓HBM市占率追上整體DRAM市占率；三星第二季DRAM市占率為38%。DRAM是電腦執行程式時使用的工作記憶體。
金在俊表示，即使客戶已完成隔年訂單，仍持續要求增加供應量：
2027年所有HBM供應量都已售罄，客戶仍持續提出額外供應需求。
三星表示，相關供應量的議價已完成，價格反映產品競爭力。客戶在新年度開始前便確保數量與價格，讓三星在擴建高成本生產設施時取得更明確的承諾。
長約支撐擴產，但建廠需要時間
三星已與10家主要客戶簽署長期記憶體供應協議，並正與另外10家洽談。三星目標是在2030年前，讓這類協議涵蓋60%至70%的產能。客戶群也正從大型AI基礎設施營運商，擴展至行動裝置、汽車與網路業者。
這些協議連結了擴張的兩端：客戶可更穩定地取得關鍵晶片，三星則取得承諾，協助規劃廠房與設備採購。建廠所需時間遠長於衡量業績的季度週期，因此多年期合約尤其有用。
金在俊預期，2028年供應仍將吃緊，因為新廠從施工到開始生產晶圓需要相當長的時間。晶圓是製造晶片所用的薄圓片。設備價格上漲、交貨時間拉長，以及新一代HBM產品採用尺寸更大的單顆晶片，也讓產能難以迅速擴增。
三星預期，2027年AI記憶體需求超過供應的幅度將大於2026年，原因是公司預測AI基礎設施投資將創新高。三星計畫及早取得生產空間，再依客戶需求調整設備安裝時程。因此，公司一方面增加支出，另一方面也力求讓新增產能配合已確認的訂單。
平澤與泰勒廠區各有不同任務
三星將平澤園區第五生產線的預定啟用時間提前兩年，至2028年投產。這座南韓廠區將生產先進記憶體。第二座晶圓廠的建設計畫也提前推進，擴大未來可用的生產基礎設施。
美國德州泰勒市是三星晶圓代工投資的核心。當地第一座無塵室已開始運作，設備正陸續安裝。無塵室是受到嚴格管控的製造空間，用來避免灰塵及其他微粒影響精密的晶片生產程序。
三星正評估進一步擴大晶圓代工，包括在美國與南韓增建晶圓廠，並計畫提升先進封裝產能。封裝負責連接並保護晶片；先進封裝技術則能讓多個元件在高運算需求的系統中緊密協作。
三星晶圓代工事業部副總裁姜錫采預測，採用2奈米製程的專案訂單數量，2026年將較2025年增加逾一倍。三星也預期，明年採用8奈米及更先進製程的需求將超過產能。這些製程名稱代表不同世代的製造技術，用於生產日益複雜的晶片。
晶圓代工業務受惠於HBM基礎晶粒銷售增加，這類晶粒有助於連接堆疊記憶體；更先進製程的訂單也帶來助益。三星System LSI業務的系統單晶片與影像感測器銷售同樣成長，並持續爭取客製化晶片專案及行動裝置以外的客戶。
下一代產品不只HBM
三星5月已交付下一代HBM4E樣品，並表示初步客戶回饋正面。三星計畫於2027年上半年開始量產，下半年再大幅提高產量。
KB證券預測，HBM4在2027年將占三星HBM營收約80%，高於2026年全年約40%的預估。這些年度預測涵蓋的期間，與三星公布的第三季占比60%不同。該券商也預測，HBM平均售價將較前一年上漲100%至150%。
三星正與HBM同步擴大伺服器DRAM及固態硬碟產量。DRAM儲存處理器立即需要的資訊；固態硬碟（SSD）則能長期保留資料。三星預期，透過多個步驟執行任務的AI代理服務，將產生並保留更多資訊，帶動儲存需求上升。
三星計畫於2027年初推出256TB QLC SSD。QLC是一種快閃記憶體，每個儲存單元可存放4個位元，讓硬碟能容納大量資料。三星也正準備擴大採用4奈米與2奈米晶圓代工製程的產量。
創紀錄獲利凸顯記憶體的重要性
三星第三季營收較前一年同期成長126.9%，營業利益增加783.1%。營收與營業利益連續第四季創下新高，延續自2025年最後一季開始的紀錄。
營業利益率達55%，高於前一季的52.2%。簡單來說，三星每100韓元營收可獲得55韓元營業利益，尚未扣除稅負與融資成本等項目。淨利約為75.14兆韓元，較前一年同期增加514.6%。
記憶體營收達140.7兆韓元，較前一年同期成長427%；第二季則成長471%。據估計，記憶體業務營業利益為108兆韓元，略高於包含記憶體業務的半導體部門所公布的106.5兆韓元，反映該部門其他業務表現較弱。
三星表示，匯率變動使營業利益較前一季減少約10兆韓元，主要影響零組件業務。銷售成長與晶片價格上漲抵銷了這項壓力。DRAM平均售價較前一季上漲約20%，NAND快閃記憶體價格則成長約十幾個百分點。
研發支出也隨廠房投資同步增加。第三季研發費用為14.4兆韓元，較前一年同期增加63%。截至9月底的支出約為41.76兆韓元，已比2025年全年的37.7兆韓元高出約11%。
手機與家電面臨成本壓力
三星Device eXperience部門營收為52.1兆韓元，較前一季增加8%，但虧損8,000億韓元。虧損額與前一季相同，也與前一年同期3.5兆韓元的營業利益形成對比。
行動體驗部門營收達37.3兆韓元，高階產品包括Galaxy Z Fold8，帶動營收成長。然而，行動裝置與網路業務合計仍虧損6,000億韓元。電視與家電營收合計13.9兆韓元，虧損2,000億韓元。
記憶體、原物料與物流成本增加，拖累成品業務獲利。三星表示，自2025年第四季以來，AI伺服器需求擴大，使行動裝置記憶體供應持續吃緊。三星高層預期，智慧型手機需求疲弱將延續至2027年，公司計畫提高高階裝置銷售占比，同時降低成本。
三星沒有宣布調漲消費產品價格。對裝置製造商而言，零組件成本持續上漲，代表每筆銷售的獲利空間受到擠壓，也必須艱難權衡產品定價與規格。三星顯示器與Harman仍維持獲利：顯示器業務營收8兆韓元、獲利1.1兆韓元；汽車與音訊子公司營收4.3兆韓元、獲利6,000億韓元。
高額股利伴隨一月決策
三星核准第三季現金股利，總額30兆韓元，普通股與特別股每股均配發4,601韓元。股東名冊基準日為9月30日，預定11月27日發放股利。
三星計畫透過股利及庫藏股買回與註銷，於2026年提供總額90兆至110兆韓元的股東報酬。註銷買回的股份可減少流通在外股數。若達到上限，這項計畫將約為三星2020年20.3兆韓元前次紀錄的5.4倍。
扣除已發放或承諾發放的35兆韓元後，三星估計剩餘金額為55兆至75兆韓元。若只扣除新公布的30兆韓元股利，剩餘金額則為60兆至80兆韓元；兩者差額來自三星已承諾總額中另計的5兆韓元。
董事會預計於2027年1月下旬核准最終報酬金額、執行細節及下一期股東報酬政策。三星也計畫評估在庫藏股買回中提高特別股占比。目前適用於2024年至2026年的政策，是將自由現金流的50%用於股東報酬；自由現金流指扣除營運需求與資本投資後剩餘的現金。
推動擴張的關鍵時程
三星的時程涵蓋今年的股利發放，以及數年後的工廠啟用與合約目標。這些里程碑顯示，當前支出與客戶承諾必須一併規劃。
- 2026年5月：三星向客戶交付HBM4E樣品。
- 2026年9月30日：第三季股利的股東名冊基準日。
- 2026年10月29日：三星公布第三季業績，以及年度廠房設備投資84.4兆韓元的預估。
- 2026年11月27日：預定發放30兆韓元股利。
- 2027年1月下旬：董事會決定下一期股東報酬政策及剩餘股利發放安排。
- 2027年上半年：預計開始量產HBM4E，下半年進一步大幅增產。
- 2028年：平澤園區第五生產線預定啟用。
- 2030年：長期協議目標涵蓋60%至70%的產能。
三星預期，半導體業務的強勁表現將使公司2027年業績優於2026年。要實現這項成長，三星必須把建廠工程、設備安裝與新產品轉化為客戶可用的晶片；同時，消費產品業務也得在推升記憶體獲利的同一波成本壓力下，努力恢復獲利。
重點
- 三星計畫於2026年投資84.4兆韓元興建廠房及購置設備，其中76.8兆韓元用於半導體。
- 2027年預定供應的HBM已全數售罄，三星預期記憶體短缺將持續至2028年。
- 第三季HBM4營收約占HBM總營收60%，銷售額較前一季至少增加三倍。
- 半導體業務貢獻三星季度營業利益107.44兆韓元中的106.5兆韓元。
- 手機與家電部門已連續第二季虧損8,000億韓元。
- 總額30兆韓元的股利預定於11月27日發放，其他股東報酬決策將於2027年1月下旬公布。
