新加坡兩項計畫瞄準 AI 熱潮的不同領域
美光科技計畫在未來10年於新加坡投資約240億美元興建新晶圓製造廠，預定於2028年下半年開始生產。該公司於2026年1月27日在新加坡北部現有的 NAND 製造園區舉行動土典禮。
目錄
這項計畫將提供約70萬平方英尺的無塵室空間，並創造約1,600個工作機會。這將是新加坡首座雙層晶圓廠，能在工業用地有限的國家境內增加生產空間。
除了晶圓廠，美光也正在興建一座先進封裝廠，生產高頻寬記憶體（HBM）；該計畫於2025年1月公布，預計至本世紀末及之後的投資額約為70億美元，初期產出預計於2027年初開始。
兩項已公布的投資合計約310億美元，但支出時程各不相同。240億美元的金額僅適用於新晶圓廠。預期這兩項計畫將合計支持美光新增約3,000個工作機會。
兩座廠房都服務於人工智慧相關需求，但負責的工作不同。新廠將生產 NAND 快閃記憶體，用來儲存資料。封裝廠則會組裝 HBM，協助高效能處理器在執行 AI 應用時快速傳輸大量資料。
240億美元晶圓廠將生產什麼
新加坡經濟發展局於1月27日發布的美光晶圓廠公告指出，投資額約為240億美元，折合310億新加坡元。這座廠房將成為美光在新加坡 NAND 卓越中心的一部分。
NAND 快閃記憶體是一種即使斷電也能保存資訊的記憶體，用於儲存檔案、軟體及大量資料的裝置。AI 系統除了運算時使用的高速工作記憶體，也需要這類儲存設備。
晶圓廠在半導體材料製成的薄圓片上製造晶片。無塵室必須嚴格控制灰塵與其他污染物，因為微小粒子可能損壞正在製造的微型結構。規劃中的70萬平方英尺指的就是這類受控生產空間。
美光表示，新增產能將因應 NAND 技術未來的演進，以及對先進儲存設備的需求。廠區也將設有研發部門，與製造作業並行，讓開發新製程的團隊能與負責導入量產的人員密切合作。
工廠為何採雙層設計
美光將在新加坡現有的 NAND 園區內興建新廠。設計將增加一層晶圓製造空間，讓廠址獲得更有效的運用，同時使擴建部分與既有營運緊密相連。
美光總裁兼執行長桑傑・梅赫羅特拉說明這項設計的用途：
雙層設計能提高土地使用效率，同時提供未來技術轉換所需的無塵室空間。
該公司預期，將研發與製造整合於新加坡中心，有助於提升營運效率，並縮短新技術上市所需時間。對客戶而言，這次擴建旨在支援更新型的儲存產品，同時提高產能。
美光也計畫在晶圓廠工程與營運中導入 AI、先進機器人及智慧製造。實際上，這些工具有助於管理複雜的生產流程；在每個階段，設備效能與製造一致性都至關重要。
HBM 封裝將率先達成里程碑
美光的 HBM 廠正朝2027年初開始初期產出的目標推進。該公司於2026年1月發布的公告表示，工廠進度符合計畫，預期在2027曆年對美光的 HBM 供應作出實質貢獻。
HBM 是一種動態隨機存取記憶體（DRAM），專為高速傳輸資料而設計。與 NAND 儲存裝置不同，DRAM 提供暫時性的工作記憶體。HBM 將記憶體晶片緊密堆疊連接，協助 AI 處理器快速取得所需資訊。
先進封裝是將這些晶片組裝並連接成可運作產品的製程。新加坡廠將擴大美光在這個環節的製造產能，並成為美光在台灣以外的首座 HBM 先進封裝廠。
HBM 計畫至本世紀末及之後的投資額約為70億美元，先前公布將創造約1,400個工作機會。其生產時程早於新 NAND 晶圓廠，讓新加坡在大型計畫開始晶圓生產前，就能在美光的記憶體網絡中扮演另一個角色。
美光預期，隨著 HBM 納入同一個新加坡製造園區，NAND 與 DRAM 生產的技術能力將有機會相互共享。這兩項計畫讓不同記憶體技術集中於同一營運據點。
擴建計畫的推進時程
美光的施工與生產里程碑將跨越數年。HBM 封裝廠將先行，接著是新晶圓廠；即使開始生產，投資仍將持續。
- 2025年1月：美光公布在新加坡興建 HBM 先進封裝廠，計畫至本世紀末及之後投資約70億美元。
- 2026年1月27日：美光為新 NAND 晶圓廠舉行動土典禮，該廠獲得約240億美元、為期10年的投資計畫支持。
- 2027年初：HBM 封裝廠預計開始初期產出，並於2027曆年對供應作出實質貢獻。
- 2028年下半年：新 NAND 晶圓廠預定開始晶圓生產。
美光將依市場需求調整產能提升速度。該公司尚未公布晶圓廠確切的啟用日期，也未說明何時能達到滿載產能。2028年開始晶圓生產，是長期投資計畫中的一個里程碑。
3,000個工作機會如何分配
晶圓廠約1,600個工作機會，占兩項計畫合計公布的3,000個職缺略多於一半。其餘1,400個職缺則與 HBM 封裝廠相關。
美光表示，新職務將著重於晶圓廠工程與營運，包括 AI、機器人及智慧製造相關工作。對員工而言，擴建將帶動半導體生產、日益自動化的設備及數位系統等領域的複合技能需求。
公司也計畫與學術機構及產業夥伴合作，提供學生實習、現職員工培訓及研究人才培育機會。這些途徑將建設計畫與長期的人力招募及廠房營運工作連結起來。
新加坡經濟發展局表示，半導體產業目前已雇用超過3.5萬人。因此，美光規劃新增的職缺對單一企業而言相當可觀，但相關招募將配合不同時間投產的計畫進行。
新加坡鞏固既有晶片製造地位
新加坡經濟發展局指出，新加坡生產全球每10片晶片中的1片，以及全球五分之一的半導體設備。這個產業對新加坡國內生產毛額的貢獻接近7%，反映其為整體經濟創造的價值。
美光擴建計畫將以這個既有產業基礎為依托。經濟發展局列出的其他在新加坡投資的半導體企業包括格羅方德、世創電子、Soitec 和聯華電子，顯示新加坡在晶片生產多個環節都具備重要地位。
新加坡副總理兼貿易及工業部長顏金勇出席動土典禮。他表示，新廠將鞏固新加坡在先進 NAND 製造領域的地位：
透過將先進 3D NAND 製造設於新加坡，這座廠房將鞏固新加坡在 NAND 快閃記憶體領域的領導地位，並強化我們作為全球半導體與 AI 供應鏈中可靠、高品質生產據點的角色。
美光全球營運執行副總裁曼尼許・巴蒂亞將這項投資描述為美光長期深耕新加坡的一環，也是強化供應鏈韌性的努力。增設 HBM 封裝業務，讓新加坡據點在既有 NAND 營運之外，增加另一項生產角色。
擴大產能同步推動環保規劃
美光表示，新晶圓廠將遵循其永續承諾及 LEED 標準。LEED 是用於評估建築環境績效的框架。公告列出的措施涵蓋溫室氣體減量、用水回收，以及廢棄物料的再利用或回收。
這些承諾延續了既有廠區獲得的肯定，包括獲世界經濟論壇認定為永續發展燈塔，以及獲頒能源效率國家夥伴獎。新建工程將延伸既有製造據點已推行的環境計畫。
公司的規劃將產能成長與人才培育、自動化及資源管理結合。隨著兩項計畫朝2027年及2028年的產出目標推進，對新加坡而言，具體變化將包括增加記憶體製造產能、增設 HBM 封裝業務，以及規劃創造數千個技術職缺。
重點摘要
- 美光計畫在未來10年投資約240億美元，於新加坡興建 NAND 晶圓廠。
- 該廠將提供約70萬平方英尺的無塵室空間，預定於2028年下半年開始晶圓生產。
- 另一座 HBM 封裝廠的投資額約為70億美元，投資將持續至本世紀末及之後。
- HBM 封裝廠預計於2027年初開始初期產出，早於新晶圓廠。
- 兩項計畫預計將合計支持美光新增約3,000個工作機會：晶圓廠1,600個，封裝廠1,400個。
- 美光將依市場需求調整產能成長速度。
