中國工廠掌握美國投資案的關鍵
美國暫緩核准運往 SK 海力士中國大連工廠的晶片製造設備，讓其美國子公司 Solidigm 計畫投資約 450 億美元，在紐約州興建兩座 NAND 記憶體工廠的提案增添變數。這項談判的相關情況於 11 月 3 日披露，凸顯華府限制中國半導體生產與吸引更多晶片製造業赴美之間的牽連。
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自 8 月下旬以來，Solidigm 高層已與美國商務部官員會面近 10 次。該公司希望取得設備，讓大連工廠提高記憶體產量並生產更先進的產品，藉此創造收益，協助支應美國建廠成本。商務部尚未核准這些設備出貨，但也未正式駁回申請。
美國投資案未來規模可能達約 1,000 億美元，約為最初 450 億美元提案的 2.2 倍，顯示計畫規模日後可能大幅擴大。不過，這兩個數字都代表可能的投資金額，並非已核准的建廠預算。
紐約州目前仍只是候選地點，尚未確定。公開說法對廠址也不一致：主要報導提到馬塞納（Massena），另一項說法則指出馬西（Marcy）。Solidigm 表示正在全球多個地點評估，尚未決定具體方案。建廠時程及設備出口許可的決定日期也都尚未公布。
對川普政府而言，眼前的選擇關乎是否讓設備進入中國；對 Solidigm 而言，同一項決定則會影響公司如何籌措在美國建廠所需資金。這層關聯使設備出口許可談判成為兩項彼此競逐的美國產業政策優先事項的考驗。
Solidigm 想興建並銷售什麼
由南韓 SK 海力士掌控的美國企業 Solidigm，正評估興建兩座生產 NAND 快閃記憶體的工廠。NAND 在斷電後仍能保留資訊，廣泛用於裝置儲存，以及資料中心內存放大量資料的硬碟。
該公司的說法將現有中國業務與可能在美國擴張的計畫連結起來。大連廠提高生產效率、製造更具競爭力的記憶體產品，有助創造紐約投資案所需的收益。因此，華府不願核准設備，既影響營運中的工廠，也牽動尚在規劃的建廠案。
晶片製造所需遠不止一棟廠房。工廠需要專用設備，在半導體晶圓，也就是製造晶片的薄圓片上，形成、加工並檢驗極細微的結構。即使廠房已完工，若業者無法安裝生產目標產品所需的設備，工廠的商業用途仍可能受到限制。
近 10 次會談仍未獲核准
Solidigm 共同執行長 Richard Chin 是 8 月下旬與商務部長 Howard Lutnick 及負責工業與安全事務的副部長 Jeffrey Kessler 會面的高層之一。熟悉會談的人士表示，美國官員對這項國內投資提案展現高度興趣，並表示願意尋求解決方案。
後續會談仍未促成所申請設備的出口許可。熟悉談判的人士表示，在 11 月 3 日報導刊出前一週的一場會議上，Kessler 重申，不應讓更多美國設備進入中國，以提升技術或擴大產能。
商務部的立場延續其去年發布的聲明：不打算核准出口設備，用於升級中國半導體工廠的技術或擴增產能。Solidigm 正在這項限制性政策架構下，尋求華府核准設備出貨。
目前有兩項談判分別進行。一項涉及大連廠發展所需的設備；另一項則關乎維持現有工廠在 2027 年持續營運所需的設備。對美國出口許可官員而言，維持工廠運作與讓工廠具備生產更先進晶片的能力，是兩個不同問題，即使涉及的是同一座廠也一樣。
為何空置無塵室成為爭議核心
SK 海力士表示，用來安裝設備的大連無塵室已於 2023 年完工。據此，該公司主張，在這處空間內裝設設備不應被視為擴增產能。
無塵室是嚴格控制環境、將灰塵及其他污染物維持在極低程度的製造區域。微小粒子可能損害晶片上正在形成的微觀結構。興建無塵室是必要步驟，但只有裝上設備，才能開始生產半導體。
商務部關切的是，新增設備是否會提升技術或增加中國工廠的產量。因此，爭議取決於一個實際問題：在已經完工的廠房內安裝新的生產設備，華府應如何界定？
大連廠規劃中的技術升級，讓這個問題更加重要。SK 海力士原已推動將 NAND 從 192 層升級至至少 240 層，詳情見 10 月 21 日的中國 NAND 升級計畫。這將使層數至少增加 25%。
製造商將記憶體單元垂直堆疊，讓每顆晶片能容納更多儲存空間。層數增加，代表在晶圓產量相近的情況下，可能儲存更多資料。對 SK 海力士而言，即使工廠占地不變，產品升級仍有助提升競爭力。美國官員正仔細審查能讓這些升級成真的設備。
競爭加劇，升級壓力升高
SK 海力士進行出口許可談判之際，中國競爭對手長江存儲科技（YMTC）正逐漸取得優勢。10 月相關報導引述 Omdia 數據指出，2026 年第二季 YMTC 在中國 NAND 市場的占比為 38.5%，三星為 33.5%，SK 海力士則為 17%。
這些數字顯示，YMTC 在該市場領先 SK 海力士 21.5 個百分點，也有助說明為何這家韓國企業希望升級大連廠，因為競爭對手仍在持續開發產品。
三星也正尋求升級其在中國的重要製造基地。三星西安廠約占其全球 NAND 產量的 40%，據報導，轉型計畫目標為生產 286 層記憶體。先前的報導指出，兩家韓國企業都在與華府協商，因設備許可已從豁免制度改為年度核發。
商業壓力與監管壓力交會於同一關鍵：設備取得。SK 海力士希望大連廠維持競爭力，支撐業務並為未來投資貢獻資金；華府則希望中國現有工廠遵守限制技術進步與產能擴張的規範。
美國管制如何影響韓國企業
戰略暨國際研究中心（CSIS）在其出口管制分析中，說明更廣泛的政策架構。該研究機構指出，2022 年 10 月推出、並於 2023 年 10 月更新的措施，旨在限制中國取得先進運算晶片及製造這類晶片所需的設備。
2024 年 12 月 2 日公布的另一套措施擴大半導體製造設備的限制，並對高頻寬記憶體（HBM）實施更廣泛的管制。HBM 能快速向人工智慧使用的處理器供應資料；NAND 則是大連與紐約提案所聚焦的儲存用途。
2024 年的措施也擴大了外國直接產品規則。依據這項規則，若特定產品的製造仰賴指定的美國技術或設備，美國出口限制便可能適用於美國境外生產的產品。CSIS 說明，SK 海力士與三星出口的 HBM 適用這套架構，因為這類晶片使用美國半導體設備製造。
分析也指出，在南韓沒有實施同等管制的情況下，南韓設備仍受擴大的美國規則約束。12 月的措施將中國、日本、南韓與新加坡的 140 個實體新增至美國工業暨安全局的實體清單，列入清單的組織將受到出口許可限制。
時任美國商務部長的 Gina Raimondo 於 2024 年 12 月 7 日在雷根國防論壇談及替代供應商帶來的疑慮。CSIS 分析引述她的發言，說明華府為何尋求其他設備生產國合作：
當我制定規則時，我必須確保中國不能直接從日本、南韓或歐洲買到這些東西，所以我們必須與他們合作。
這套做法有助說明，跨境採購設備仍可能需要美國核准。政策追蹤的是技術與製造鏈，而不會因工廠所有者的國籍而停止適用。
財政部與融資帶來另一個決策關卡
Solidigm 高層也曾向美國財政部詢問，能否為購買與中國工廠相關設備的交易，豁免對對外投資的限制。熟悉討論的人士表示，財政部回應稱會先等待商務部作出決定。
兩個部門處理交易的不同面向。商務部負責設備出口問題；財政部則受詢能否處理影響相關設備採購的投資限制。該公司同時與兩個部門協商，顯示取得設備不只是單一行政核准程序。
與此同時，SK 海力士已暫停另一項可能的籌資途徑。該公司於 10 月 23 日宣布，因近期資本市場狀況及股價波動，已停止評估在 Solidigm 股票上市及首次公開募股前進行投資的可能性。
首次公開募股（IPO）是公司首次向一般投資人出售股票的程序。上市前投資則可提早提供資金。在這些選項不再繼續評估後，依該公司的說法，現有業務收益在支應美國建廠計畫上的重要性隨之提高。
談判相關日期
大連廠爭議牽涉數年前完工的廠房、近期投資協商，以及明年所需設備的申請。重要進展如下：
- 2023 年：據 SK 海力士表示，產能爭議核心的大連無塵室完工。
- 2024 年 12 月 2 日：華府公布更廣泛的半導體出口管制措施，涵蓋更多設備與先進 HBM。
- 2026 年 8 月下旬：Solidigm 高層與 Lutnick、Kessler 會面，持續討論美國投資案與中國設備申請。
- 2026 年 10 月 21 日：SK 海力士大連廠技術升級計畫及三星西安廠轉型計畫詳情曝光。
- 2026 年 10 月 23 日：SK 海力士宣布停止評估在 Solidigm 上市及 IPO 前進行投資的可能性。
- 2026 年 11 月 3 日：設備出口許可受阻及其與紐約建廠提案的關聯公開。
- 2027 年：維持大連廠現有營運所需的設備許可，正另行協商。
華府將吸引新工廠赴美及限制中國先進製造列為兩項政策目標。Solidigm 的融資提案直接將兩者連結：該公司希望提升中國業務的生產力，藉此支應美國製造業投資。要解決這項申請，就得決定華府願意容許大連廠發展到什麼程度。
重點整理
- 商務部暫緩核准 SK 海力士大連廠的設備申請，但尚未正式駁回。
- Solidigm 正評估投資約 450 億美元在紐約興建兩座 NAND 工廠，長期投資規模可能達 1,000 億美元。
- 該公司希望提升中國廠的產能，以創造收益支應美國建廠。
- 爭議之一是，在 2023 年完工的無塵室內安裝設備，是否構成產能擴張。
- 維持大連廠 2027 年營運所需的設備許可，正另行協商。
- Solidigm 尚未確定廠址或建廠計畫，SK 海力士也已暫停評估 Solidigm IPO 的可能性。
